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电子在镍纳米晶中的直接隧穿及其在MOS结构中的存储

倪鹤南 , 吴良才 , 宋志棠 , 惠唇

稀有金属材料与工程

研究了镍纳米晶镶嵌在MOS(金属—氧化物一半导体)电容结构中应用于非挥发性存储器的可行性.制备了镶嵌在氧化层中的镍纳米晶.采用电子束蒸发方法,再经过快速退火工艺,得到平均尺寸7nm,密度1.5×1012/cm2的镍纳米晶.电容随频率变化曲线发现明显的峰,测试分析了电容-电压和电导-电压特性.结果表明电子通过直接隧穿停留在镍纳米晶中,并且存储在MOS结构中.

关键词: 纳米晶存储器 , 镍纳米晶 , MOS结构 , 电荷存储特性

电沉积镍纳米晶材料制备及性能

王立平 , 高燕 , 薛群基 , 刘惠文 , 徐洮

电镀与涂饰 doi:10.3969/j.issn.1004-227X.2004.03.001

采用直流电沉积法向镀液中加入复合有机添加剂制备了镍纳米晶材料.采用扫描电镜及X射线衍射仪分析了该纳米晶材料的微观形貌及相结构.测定了其结合强度、显微硬度及耐磨性能.结果表明,该纳米镍镀层表面致密、平整,且结合强度、显微硬度及耐磨性能优良,与粗晶镍镀层相比有较大的提高.

关键词: 电沉积 , 镍纳米晶 , 复合有机添加剂

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