李伟
,
孙云
,
刘伟
,
李凤岩
,
周琳
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.01.030
采用两步法制备CuGaxIn1-xSe2薄膜,Cu-In-Ga金属预制层采用铜镓合金靶及铟靶通过磁控溅射方法沉积而成,采用固态源硒化法在硒蒸气密闭环境中硒化,通过调整镓(Ga)比例及分布控制CIGS薄膜的带隙,采用镓元素梯度分布,使CIGS薄膜带隙呈现抛物线状分布,电池的量子效率得到明显提高,制备出的CIGS薄膜电池开路电压与转换效率都得到很大程度的改善,电池最高转换效率已达9.4%.
关键词:
镓梯度分布
,
铜铟镓硒太阳电池
,
固态源硒化法
,
量子效率
