崔素贤
,
郑燕青
,
施尔畏
,
路治平
,
仲维卓
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2002.06.001
Ce∶LSO晶体具有优良的闪烁性能,其主要特点是光产额大、发光衰减时间快、密度大、有效原子序数大、辐射长度短、发射峰与光电倍增管的接收范围相匹配,在γ射线探测方面有着广泛的应用.我们用提拉法生长了不同掺杂浓度的Ce∶LSO晶体,成功地解决了在生长过程中出现的晶体开裂及籽晶熔断问题,并对晶体生长过程中的表面重熔、晶体着色及Ce的偏析等现象作了讨论.荧光光谱分析表明晶体最大激发波长为353nm,发射峰由391nm和425nm处两个峰组成,吸收谱则显示晶体在209～370nm之间具有多个吸收峰.
关键词:
Ce∶LSO
,
闪烁晶体
,
提拉法
,
激发发射谱
崔玉杰
,
潘建国
,
杨书颖
,
赵玲燕
,
李月宝
,
李星
人工晶体学报
在氮气保护的条件下,采用恒温蒸发法,在乙腈溶液中生长超快闪烁晶体碘化亚铜,获得了尺寸为3 mm×2 mm×2 mm的单晶体.测定了CuI在乙腈中的溶解度曲线和结晶度曲线.利用紫外-可见光谱对CuI的乙腈溶液中的碘离子存在形式作了判断和分析,对溶液中的黑色沉淀物氧化铜进行了IR和XRD表征.通过结晶实验,研究了温度、氧气和还原剂对晶体结晶形态的影响.实验表明:晶体生长温度应在45 ℃以上,铜粉具有很好的还原性能.
关键词:
闪烁晶体
,
碘化亚铜
,
晶体生长
,
恒温蒸发法
介明印
,
赵广军
,
何晓明
,
曾雄辉
,
庞辉勇
,
张连瀚
,
徐军
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.01.030
本文综述了铈离子掺质硅酸钆(Ce:Gd2SiO5)闪烁晶体的结构、闪烁性能、闪烁机理及晶体生长的研究现状,重点讨论了Ce:GSO闪烁晶体生长的研究进展;提出了硅酸钆闪烁晶体未来研究发展的几个方向为:大尺寸晶体的生长、高光输出的研究、混合型硅酸钆晶体的研究等.
关键词:
Ce:Gd2SiO5
,
闪烁晶体
,
晶体生长
,
光学性能
黄朝红
,
陆磊
,
周东方
,
秦青海
,
李运奎
,
殷绍唐
,
施朝淑
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2001.04.006
本文研究了大尺寸、高光学质量无机闪烁晶体Ce3+:YAG的生长,并对它的吸收光谱和荧光光谱进行了测量和分析.在克服了晶体易开裂和出现宏观缺陷的情况下,采用提拉法成功生长出直径达45mm的Ce3+:YAG单晶.光谱测量表明晶体具有优良的光学性能.并已经在大规模集成电路的检测上得到应用.
关键词:
闪烁晶体
,
Ce3+:YAG
,
提拉法单晶生长
,
光谱测量
任国浩
,
沈定中
,
王绍华
,
殷之文
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1998.02.009
本文根据偏光显微镜观察,把存在于立方氟化铅晶体中的包裹体分为三种类型:针状包裹体、板状包裹体和无规则形包裹体.根据EDS成分分析和XRD结构测定,认为针状包裹体的组成为铅的氧化物和氟氧化物,板状包裹体和无规则形包裹体为氟化铅的斜方相.针状包裹体是由于原料中的PbO杂质引起组分过冷而造成氧化铅和氟氧化铅小颗粒的定向排列.如果氧化物杂质含量不是很高,则通过掺入过量脱氧剂、提高固液界面处的温度梯度和降低下降速度,可以比较有效地减少甚至消除晶体中的针状包裹体.
关键词:
氟化铅晶体
,
包裹体
,
组分过冷
,
闪烁晶体
肖学峰
,
顾赟
,
徐家跃
,
张彦
,
向卫东
人工晶体学报
采用坩埚下降法生长了Ge的摩尔浓度分别为5％、10％、15％的硅锗酸铋晶体(BGSO).利用显微压痕实验系统研究了BGSO晶体的力学性能,包括维氏硬度Hv、断裂韧性Kc、屈服强度σ和脆性指数B.研究表明,BGSO晶体的力学性能参数Hv、Kc和σ随着Ge含量和载荷的增加而逐渐减小,而脆性指数B则增大.在Ge含量从0到15％范围内,BGSO晶体的力学性能基本上表现为BGO和BSO两种晶体力学性能的简单混合.
关键词:
闪烁晶体
,
坩埚下降法
,
BGSO
,
力学性能
陈红兵
,
周昌勇
,
杨培志
,
王金浩
,
许伟
中国稀土学报
报道了LaCl3单晶的非真空密闭条件下的坩埚下降法生长方法.依据差热,热重分析所揭示的LaCl3·7H2O脱水过程,采用干燥氯化氢保护下的焙烧脱水处理制备出无水LaCl3原料.将无水LaCl3密封于铂坩埚中,且添加少量活性碳粉,可避免熔体的氧化与挥发,从而实现在非真空条件下的LaCl3单晶生长.在单晶生长过程中,炉体控制温度为940～970℃,固液界面温度梯度为30～40℃·cm-1,坩埚下降速率控制于0.5～1.0 mm·h-1,在非真空密闭条件下成功生长出直径为25 mm的透明LaCl3单晶.综合运用差热/热重分析、X射线衍射、透射光谱、X射线激发发射光谱对所获单晶样品进行了测试表征,表明非真空密闭坩埚下降法适合于生长均匀透明LaCl3单晶.
关键词:
LaCl3
,
闪烁晶体
,
脱水处理
,
晶体生长
,
坩埚下降法
,
稀土
刘欣荣
,
徐衍岭
,
杨春辉
,
徐悟生
,
王锐
,
陈刚
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1999.02.011
采用提拉法生长了Cd:PbWO4晶体,最佳生长工艺参数:液面上和液面下轴向温度梯度分别为40～50 ℃/cm和17～25 ℃/cm,生长速度2～3 mm/h,转速为25～30 r/min,以这一条件生长晶体可克服液流转换,避免由此引起的缺陷.Cd:PbWO4的透过率明显高于各类型未掺杂PbWO4晶体,测得Cd:PbWO4的发光效率为21.2 p.e/MeV,而高纯PbWO4为10.5 p.e/MeV,分析纯退火PbWO4为8.2 p.e/MeV,未退火PbWO4为6.7 p.e/MeV.Cd:PbWO4晶体的平均衰减时间约为10 ns.以上结果表明,Cd:PbWO4是一种良好的闪烁晶体.
关键词:
掺镉钨酸铅晶体
,
发射光谱
,
发光效率
,
闪烁晶体
,
引上法晶体生长
叶崇志
,
向卫东
,
廖晶莹
人工晶体学报
采用坩埚下降法生长了NaF、LiF掺杂钨酸铅(PbWO4)晶体,研究了掺杂晶体的透射光谱、光产额和X射线激发发射谱等发光性能.结果表明:与未掺杂PbWO4晶体相比,NaF掺杂可以显著提高PbWO4晶体在350nm附近的透过率,其X射线激发发射谱中出现新的发光峰;而LiF掺杂引起了晶体可见光范围内的强烈吸收,造成PbWO4晶体光产额的显著下降.基于影响PbWO4晶体闪烁性能的原因分析,提出了采用其它价态金属氟化物掺杂来提高PbWO4晶体光产额的新思路.
关键词:
钨酸铅
,
氟化物掺杂
,
闪烁晶体
,
光输出
李焕英
,
秦来顺
,
陆晟
,
任国浩
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2006.00527
用提拉法生长了Lu2Si2O7:Ce晶体, 讨论了晶体生长过程中的几个问题: (1)熔体挥发; (2)晶体开裂; (3)层状包裹. 生长过程中LPS和SiO2均存在挥发, 其中后者占主导; LPS挥发不会造成组分偏析, 因此对生长过程没有负面的影响. 接种温度偏低导致晶体出现多晶化和晶体中较大的热应力是促使开裂发生的主要原因. 层状包裹现象的出现主要是由于该晶体的结晶温度范围狭窄, 熔体容易出现组分过冷, 以及生长设备的温控系统精度不高等造成的.
关键词:
闪烁晶体
,
LPS:Ce crystal
,
defects
,
inclusions
