赵凯
,
党智敏
绝缘材料
doi:10.3969/j.issn.1009-9239.2011.03.012
采用冷压烧结的成型工艺制备了四针状氧化锌晶须(T-ZnO<,w>)/聚四氟乙烯(PTFE)复合材料,研究了不同掺杂含量对复合材料的介电性能及抗静电性能的影响.结果表明:随着晶须填料掺杂含量的增加,复合材料的介电常数增大,但介电强度和绝缘电阻率下降;复合材料的电场强度-电流密度(E-J)曲线对应的场强阈值随着T-ZnO<,w>填料含量的增加均降低,并且当T-ZnO<,w>的质量分数为30%时,复合材料的电阻率为1.58×10<'10>Ω·m.从而复合材料就能以较高的暂态电导率把累积在表面的静电荷释放掉.
关键词:
冷压烧结
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四针状氧化锌晶须
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聚四氟乙烯
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电气性能
,
阈值电场
李卫青
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顾广瑞
,
李英爱
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何志
,
冯伟
,
刘丽华
,
赵春红
,
赵永年
功能材料
用RF磁控溅射的方法在最佳沉积条件下在Si(100)基底上沉积了纳米氮化硼薄膜,然后对薄膜在真空度低于5×10-4Pa、温度分别为800℃和1000℃条件下进行了表面热处理,分别用红外光谱、原子力显微镜以及不同退火温度的场发射试验对薄膜进行了研究,结果表明表面热处理对BN薄膜的表面形貌没有明显影响,样品场发射特性的变化可能与表面负电子亲和势有关,未进行热处理的样品阈值电场较低,可能归因于表面负电子亲和势效应,阈值电场为8V/μm,发射电流为80μA,热处理温度为800℃时,负电子亲和势仍然存在,直到热处理温度达到1000℃时,表面负电子亲和势才消失.
关键词:
氮化硼薄膜
,
表面热处理
,
场发射
,
发射电流
,
阈值电场
李卫青
,
顾广瑞
,
李英爱
,
何志
,
冯伟
,
刘丽华
,
赵春红
,
赵永年
功能材料
用RF磁控溅射的方法在Si(100)基底上沉积了纳米氮化硼薄膜,然后分别用氢、氧等离子体对薄膜表面进行了处理,用红外光谱、原子力显微镜、光电子能谱以及场发射试验对薄膜进行了研究,结果表明氢等离子体使BN薄膜表面NEA增加,阈值电场降低,发射电流明显增大.氧等离子体处理对BN薄膜的场发射特性影响不大,只是发射电流略有降低,这只能是由于氧化层存在的原因.
关键词:
氮化硼薄膜
,
场发射
,
表面处理
,
阈值电场
,
发射电流
李卫青
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2008.03.018
利用等离子体增强脉冲激光沉积系统,在n型Si(100)基底上沉积了不同沉积气压下的纳米BN薄膜,利用红外光谱(FTIR)对BN薄膜进行了表征.通过原子力显微镜(AFM)观察了薄膜的表面形貌.在超高真空(＜5.0×10-7 Pa)情况下测量了薄膜的场致发射特性.实验结果表明,沉积气压对BN薄膜的场发射特性影响很大.BN薄膜的阈值电场随着沉积气压的升高而升高,发射极限电流随着沉积气压的升高而较小,但耐压特性提高.沉积气压为2 Pa时沉积的BN薄膜的场发射的阈值电场最低,为12 V/μm,当电场升高到27 V/μm时,场发射电流密度为140.6 μA/cm2;当沉积气压升高到5 Pa时,阈值电场升高为26 V/μm,当电场升高到59 V/μm时,发射电流密度为187.5 μA/cm2;沉积气压升高到15 Pa时的样品的阈值电场已经高达51 V/μm.所有BN薄膜的F-N曲线都符合F-N理论,表明电子发射是通过隧穿表面势垒完成的.
关键词:
射频等离子体
,
氮化硼薄膜
,
场发射特性
,
阈值电场
