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四针状氧化锌晶须/聚四氟乙烯复合材料的电气性能研究

绝缘材料 doi:10.3969/j.issn.1009-9239.2011.03.012

采用冷压烧结的成型工艺制备了四针状氧化锌晶须(T-ZnO<,w>)/聚四氟乙烯(PTFE)复合材料,研究了不同掺杂含量对复合材料的介电性能及抗静电性能的影响.结果表明:随着晶须填料掺杂含量的增加,复合材料的介电常数增大,但介电强度和绝缘电阻率下降;复合材料的电场强度-电流密度(E-J)曲...

关键词: 冷压烧结 , 四针状氧化锌晶须 , 聚四氟乙烯 , 电气性能 , 阈值电场

碳纳米管场致发射特性的研究

朱长纯 , 刘兴辉

机械工程材料 doi:10.3969/j.issn.1000-3738.2004.07.016

详细论述了碳纳米管的场致发射特性,包括开启电场、阈值电场、发射电流密度、发射电流的稳定性及场发射电子能量分布等;阐述了场发射的机制;分析了发射特性与其几何结构、吸附态及尖端缺陷等因素的关系;并简要介绍了碳纳米管场发射特性在平板显示领域中的实际应用.

关键词: 碳纳米管 , 发射特性 , 阈值电场 , 场发射显示器

表面热处理对氮化硼薄膜场发射特性的影响

李卫青 , 顾广瑞 , 李英爱 , 何志 , 冯伟 , 刘丽华 , 赵春红 , 赵永年

功能材料

用RF磁控溅射的方法在最佳沉积条件下在Si(100)基底上沉积了纳米氮化硼薄膜,然后对薄膜在真空度低于5×10-4Pa、温度分别为800℃和1000℃条件下进行了表面热处理,分别用红外光谱、原子力显微镜以及不同退火温度的场发射试验对薄膜进行了研究,结果表明表面热处理对BN薄膜的表面形貌没有明显影响,...

关键词: 氮化硼薄膜 , 表面热处理 , 场发射 , 发射电流 , 阈值电场

氢、氧等离子体处理对氮化硼薄膜场发射特性的影响

李卫青 , 顾广瑞 , 李英爱 , 何志 , 冯伟 , 刘丽华 , 赵春红 , 赵永年

功能材料

用RF磁控溅射的方法在Si(100)基底上沉积了纳米氮化硼薄膜,然后分别用氢、氧等离子体对薄膜表面进行了处理,用红外光谱、原子力显微镜、光电子能谱以及场发射试验对薄膜进行了研究,结果表明氢等离子体使BN薄膜表面NEA增加,阈值电场降低,发射电流明显增大.氧等离子体处理对BN薄膜的场发射特性影响不大,...

关键词: 氮化硼薄膜 , 场发射 , 表面处理 , 阈值电场 , 发射电流

沉积气压对氮化硼薄膜场发射特性的影响

李卫青

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2008.03.018

利用等离子体增强脉冲激光沉积系统,在n型Si(100)基底上沉积了不同沉积气压下的纳米BN薄膜,利用红外光谱(FTIR)对BN薄膜进行了表征.通过原子力显微镜(AFM)观察了薄膜的表面形貌.在超高真空(＜5.0×10-7 Pa)情况下测量了薄膜的场致发射特性.实验结果表明,沉积气压对BN薄膜的场发射...

关键词: 射频等离子体 , 氮化硼薄膜 , 场发射特性 , 阈值电场

出版年份

2013年1篇

刊物分类

钛工业进展1篇

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