袁昌来
,
巫秀芳
,
刘心宇
,
黄静月
,
李擘
,
梁梅芳
,
莫崇贵
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2011.00387
采用印刷法制备了CuO掺杂SrFe0.9Sn0.1O3-δ(CSFS)厚膜负温度系数(NTC)热敏电阻(掺杂量为20mol%～50mo1%).对其微观结构及电性能研究发现:随着CuO掺杂含量的增加,厚膜表面变得更加致密,室温电阻逐渐降低至0.46 MΩ,而热敏常数基本保持在3300K附近.CuO的加入导致SrFe0.9Sn0.1O3-δ分裂成多种铁含量更低的SrFe1-xSnxO3-δ物相(0.1＜x＜1).借助两个串联的RQ等效部件组成的电路模型,探讨了CuO含量为40mol%的SrFe0.9Sn0.1O3厚膜在25～250℃范围内的阻抗特征,发现厚膜电阻主要是由晶界电阻和晶粒电阻构成,且这两个贡献电阻都呈现出明显的NTC熟敏效应.此外,阻抗虚部和电学模量虚部峰值对应频率的高度匹配表明厚膜的主要导电方式为局域导电机制.
关键词:
SrFe0.9Sn0.1O3-δ
,
厚膜NTC热敏电阻
,
CuO
,
阻抗分析
袁昌来
,
骆颖
,
周秀娟
,
杨云
,
陈国华
,
刘心宇
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2014.13303
采用传统的固相烧结法制备了Yn(Ba08Bi0.2)1-nFe0.9Sn0.1O3负温度系数热敏陶瓷.借助X射线衍射分析仪、扫描电镜、阻温测试仪和交流阻抗分析仪对这类热敏陶瓷的物相、显微结构、阻温特性和阻抗特征进行了表征分析.所得L(Ba0.8Bi0.2)1-nFe0.9Sn0.1O3热敏陶瓷为伪立方钙钛矿结构,粒度约1.0 μm,随Y含量增加晶格常数a变小;其室温电阻率、热敏常数和活化能分别介于2.17～9.17 MΩ·cm、6757～7171 K和0.583～0.618 eV范围内,且均随Y含量增加趋于增大.阻抗分析表明,在n=0.02、0.04时,陶瓷体电阻由晶界、晶壳和晶粒电阻构成,其中晶粒电阻贡献最大;而在n=0.06、0.08时,陶瓷体电阻由晶界、畴壁和电畴三个部分构成,其中电畴区域电阻贡献最大;在限定的测量温度范围内,晶界、晶壳、晶粒、畴壁和畴电阻均表现出负温度系数热敏行为.
关键词:
负温度系数热敏陶瓷
,
Yn(Ba0.8Bi0.2) 1-nFe0.9Sn0.1O3
,
电学性能
,
阻抗分析
袁昌来
,
巫秀芳
,
刘心宇
,
黄静月
,
李擘
,
梁梅芳
,
莫崇贵
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2011.00387
采用印刷法制备了CuO掺杂SrFe0.9Sn0.1O3-δ(CSFS)厚膜负温度系数(NTC)热敏电阻(掺杂量为20mol%~50mol%). 对其微观结构及电性能研究发现: 随着CuO掺杂含量的增加,厚膜表面变得更加致密, 室温电阻逐渐降低至0.46MΩ, 而热敏常数基本保持在3300K附近. CuO的加入导致SrFe0.9Sn0.1O3-δ分裂成多种铁含量更低的SrFe1-xSnxO3-δ物相(0.1<x<1). 借助两个串联的RQ等效部件组成的电路模型, 探讨了CuO含量为40mol%的SrFe0.9Sn0.1O3厚膜在25~250℃范围内的阻抗特征, 发现厚膜电阻主要是由晶界电阻和晶粒电阻构成, 且这两个贡献电阻都呈现出明显的NTC热敏效应. 此外, 阻抗虚部和电学模量虚部峰值对应频率的高度匹配表明厚膜的主要导电方式为局域导电机制.
关键词:
SrFe0.9Sn0.1O3-&delta
,
,
thick-film NTC thermistors
,
CuO
,
impedance analysis
