刘伟吉
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曾庆明
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李献杰
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敖金平
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赵永林
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郭建魁
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徐晓春
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.015
发展了WN/W难熔栅自对准工艺.WN/W栅在850oC下退火,保持了较好的形貌.在此工艺基础上研制出了适用于互补逻辑电路的增强型n沟道异质结场效应晶体管.在1×50μm的HFET中,实现了最大跨导约为56mS/mm,阈值电压为3.5V.与p型HFET的-3V的阈值基本对称.反向击穿电压为4～5V.
关键词:
WN/W
,
难熔栅
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CHFET
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HIGFET
