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BJMOSFET 静态特性的解析模型及模拟分析

金湘亮 , 曾云 , 颜永红 , 成世明 , 龚磊 , 盛霞 , 樊卫

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2001.02.012

建立了新型半导体功率器件—双极型压控晶体管（ BJMOSFET）的直流解析模型，通过提取模 型参数，运用电路模拟软件 PSPICE的多瞬态分析法对 BJMOSFET的直流特性进行了模拟，分析得 出这种新型器件在相同结构参数和同等外界条件下与传统 MOSFET相比，电流密度提高 30％～ 40％。

关键词: BJMOSFET , 静态特性 , PSPICE , 模拟

一种高量程压阻式加速度计的静态测试方法

黄全平 , 陆德仁

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.03.017

介绍了一种简单而有效的天平方法来检测高量程微机械加速度传感器芯片的静态特性.设计了一种新结构,上面带有压敏电阻,用该方法测量到的静态特性和理论结果比较,两者基本一致,芯片的静态输出特性在测量限20000g(g为重力加速度)内呈直线,非线性为1%左右,灵敏度与理论值在20%的偏差内一致.由于其操作简单、低廉且有较高的分辨率,这种方法适合于平板型高量程压阻式加速度传感器芯片封装前进行抽样检测.

关键词: 静态特性 , 压阻式加速度计 , 薄板

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