倪鹤南
,
吴良才
,
宋志棠
,
惠春
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.03.007
优化了金属纳米晶的制备工艺参数,得到了分布均匀,形状为球形,平均尺寸8nm,密度2.5×1011/cm2的Ag纳米晶.在此基础上,制备了包含Ag纳米晶的MOS电容结构.利用高频电容-电压(C-V)和电导-电压(G-V)测试研究了其电学性能,证明该MOS电容结构的存储效应主要源于金属纳米晶的限制态.电容-时间(C-t)测试曲线呈指数衰减趋势,保留时间290s,具有较好的保留性能.
关键词:
非挥发性存储器
,
纳米晶
,
金属纳米晶
