黄佳木
,
吕佳
,
张新元
,
覃丽禄
材料导报
采用射频反应磁控溅射工艺,以纯钽为靶材,在WO3/ITO/Glass基材上制备TaOx薄膜,研究氧含量、溅射功率等制备工艺参数对TaOx薄膜性能的影响.用三位电极法和透射光谱等方法检测薄膜的离子导电性能,结果表明:所得的TaOx薄膜主要为非晶态,在一定范围内,在较低的溅射功率和较低的氧含量实验条件下制备的TaOx薄膜具有较好的离子导电性能.
关键词:
TaOx
,
非晶态薄膜
,
离子导体
,
磁控溅射
于方丽
,
白宇
,
秦毅
,
岳冬
,
罗才军
,
杨建锋
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2013.12203
在单晶Si和多晶Cu基底表面上使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法沉积了SiC薄膜.通过高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、X射线光电子能谱仪(XPs)及扫描电子显微镜(SEM)研究基底温度对SiC薄膜成分、结构及生长速度的影响规律.结果表明:在60～500℃基底温度下制备的SiC薄膜均为非晶态薄膜,薄膜的生长速度随基底温度的升高而线性降低,并且在相同沉积条件下,薄膜在Si基底上的生长速度要高于Cu基底.此外,薄膜中的硅碳原子比随基底温度的升高而降低,当基底温度控制在350℃左右时,可以获得硅碳比为1∶1较理想的SiC薄膜.
关键词:
碳化硅
,
等离子体增强化学气相沉积
,
非晶态薄膜
,
生长速度
,
基底温度
柳丽娜
,
高诚辉
,
李有希
,
李友遐
材料保护
doi:10.3969/j.issn.1001-1560.2004.11.014
微电子技术的迅速发展要求电子元件薄膜化,从而促进了磁性薄膜的发展.为了达到控制溅射非晶态薄膜磁性的目的,从溅射非晶态薄膜的组成成分、溅射工艺参数、基体材料及温度、膜层厚度和镀后热处理工艺等几方面论述了影响非晶态溅射薄膜磁性的因素,结果表明,薄膜组成、膜厚、基材、溅射工艺及镀后热处理对溅射非晶态薄膜的磁性有较大的影响,应根据不同磁性要求加以控制.
关键词:
非晶态薄膜
,
溅射
,
磁性
