武红磊
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郑瑞生
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李萌萌
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闫征
人工晶体学报
AlN晶体在c轴方向具有很强的自发和压电极化效应,影响了其器件的性能.生长高质量的非极性面AlN晶体材料是解决该问题的有效途径.本研究结合AlN晶体沿c轴择优生长的特点,使用自行设计的双区电阻加热生长装置,升华制备出尺寸为厘米级m面非极性AlN单晶体,并利用X射线衍射和能谱对样品进行测试分析.实验结果表明AlN单晶体的方向为(100),铝和氮原子比例为50.3％和49.7％,接近理想比例1∶1.最后,对m面非极性AlN单晶体的形成机理进行探讨.
关键词:
升华
,
非极化
,
AlN晶体
,
m面
