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袁宏韬 , 冯克成 , 张先徽
功能材料
采用射频(RF)磁控溅射在各种条件下制备的VO2薄膜的喇曼光谱曲线.研究发现,和理想配比VO2薄膜的主要喇曼峰相比较,无论是富钒的VO2薄膜还是富氧的VO2薄膜它们主要的喇曼峰都向高频方向移动.我们提供了实验证据并且讨论了非理想配比导致VO2薄膜喇曼光谱变化的原因.
关键词: 二氧化钒薄膜 , 喇曼光谱 , 非理想配比 , 射频磁控溅射
