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文尚胜 , 范广涵 , 廖常俊 , 刘颂豪
量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2001.03.020
根据电化学C-V测量AlGaInP外延片获得的载流子浓度深度分布数据,以及其LED外延片封装后的工作电压,计算了其中N+-N与P+-P两种同型结的接触电势差,指出调制掺杂同型结的掺杂浓度分布是影响LED工作电压的另一大因素,并提出了进一步降低LED工作电压的有效措施.
关键词: 调制掺杂 , 同型结 , 接触电势差 , 高亮度发光二极管
