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六钛酸钾纳米线的结构分析

韩培德 , 梁建 , 余愿 , 鲍慧强 , 刘旭光 , 许并社

稀有金属材料与工程

采用X射线粉末衍射Rietveld精修方法和高分辨电子显微方法分析了六钛酸钾纳米线的晶体结构.X射线精修结果表明纳米线的晶体结构与六钛酸钾晶须结构相同.高分辨电子显微像模拟计算所得的像与高分辨像匹配良好,且与X射线结构精修所得结构模型相符.纳米线的生长方向平行于K2Ti6O13结构的[010]方向.

关键词: 六钛酸钾 , X射线 , 高分辨电子显微术 , 晶体结构

界面精细结构与界面反应产物结构

李斗星 , 平德海 , 宁小光 , 叶恒强

金属学报

界面的原子结构特征对材料的性能有很重要的影响.本文介绍用选区电子衍射及高分辨电子显微术研究半导体超晶格、金属多层膜、陶瓷和复合材料相界面的精细结构及界面反应产物结构的结果.对两相之间的取向关系,界面的台阶、小面和粗糙度,界面的原子键合,界面的共格性,错配位错的性质及界面附近弹性应变松弛度,界面附近缺陷结构,电子束辐照或制备工艺条件引起的界面固态化学反应动力学和反应机制以及界面反应产物结构进行了分析和讨论。

关键词: 高分辨电子显微术 , high-resolution electron microscopy , interface fine structure , interfacial reaction

(SiCw+B4Cp)/MB15 Mg基复合材料的微观结构

陈玉喜 , 张国定

金属学报

利用高分辨电镜研究了(SiCw+B4Cp)/MB15 Mg合金基复合材料的微观结构. SiC晶须的表面附着呈截角八面体形状的MgO纳米颗粒. 此外, MgB2和MgO共生在SiC晶须的表面, 三者之间存在固定的晶体学取向关系:「110」SiC∥「110」MgO∥「112^-0」MgB2和(1^-11^-)SiC∥(1^-11^-)MgO∥(0001^-)MgB2•MgB2相呈六角盘状几何外形.

关键词: 高分辨电子显微术 , null

(SiCW+B4Cp)/MB15 Mg基复合材料的微观结构

陈玉喜 , 李斗星 , 张国定

金属学报 doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2000.11.025

利用高分辨电镜研究了(SiCw+B4Cp)/MB15 Mg合金基复合材料的微观结构.SiC晶须的表面附着呈截角八面体形状的MgO纳米颗粒.此外,MgB2和MgO共生在SiC晶须的表面,三者之间存在固定的晶体学取向关系:[110]SiC∥[110]MgO∥[1120]MgB2和(111SiC∥(111MgO∥(0001MgB2.MgB2相呈六角盘状几何外形,在Mg合金中其界面能的各向异性显著.此外,还发现了SiC和Mg存在的一种晶体学取向关系:[111]siC∥[0001]Mg和(202)siC∥(1120)Mg.研究结果表明,在Mg合金复合材料中,SiC比B4C更加稳定.

关键词: Mg合金基复合材料 , B4C , MgB2 , 高分辨电子显微术

热压NiAl纳米晶块体材料的HREM观察及EDS分析

杨晓云 , 贺连龙 , 周兰章 , 郭建亭 , 叶恒强

金属学报 doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2000.09.003

利用高分辨电镜(HREM)及场发射电镜纳米尺度成分分析技术(EDS分析)研究了机械合金化和真空热压技术制备的纳米NiAl块体材料的微观结构.HREM及EDS分析结果表明在球磨过程中形成第二相粒子Al2O3分布于NiAl晶粒内部或边界上,分布于晶粒边界上的Al2O3对晶界起钉扎作用,有效地抑制晶粒长大;此外,观察到纳米晶粒间存在无序区,这些无序区也是抑制晶粒长大的一个因素.

关键词: 高分辨电子显微术 , 纳米尺度成分分析 , 纳米晶NiAl , Al2O3

La0.7Ca0.3MnO3薄膜微观结构的HRTEM表征

王明光 , 祁阳

功能材料

利用透射电子显微镜研究了衬底温度600~800℃条件下采用脉冲激光法在(001)LaAlO3(LAO)衬底上制备的La0.7Ca0.3MnO3(LCMO)薄膜的微观结构。结果表明薄膜由大量柱状晶组成且与LAO衬底形成良好外延关系。LCMO薄膜与LAO衬底的取向关系可以描述为:(ⅰ)(100)f∥(001)s、[011]f∥[100]s;(ⅱ)(011)f∥(001)s、[100]f∥[100]s。LCMO显示层状畴结构,即在衬底上初始生长的薄膜为(ⅱ)型畴,在此之上生长的薄膜为(ⅰ)类和(ⅱ)类型畴的混合体。薄膜中可观察到一些反向畴与孪晶等缺陷。薄膜与衬底界面少见错配位错,薄膜以Stranski-Krastanov模式生长。

关键词: 高分辨电子显微术 , 取向畴 , 孪晶

Fe0.5Cu0.5BaSrYCu2Oy化合物的结构和超导电性研究

虞红春 , 石友国 , 刘立宝 , 刘丽华 , 车广灿 , 李建奇

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2003.z2.018

实验采用常压和高压分别制备出含铁的FexCu1-xBaSrYCu2Oy(x= 0~1)系列化合物,本文主要研究x=0.5时样品的结构和超导电性.测量结果显示,高压合成的样品均具有超导电性,对于x=0.5的样品超导转变温度Tc(onset)~57K, Tc(0)~40K,而常压合成的样品当Fe含量x>0.3时均不超导.为此,我们利用透射电子显微镜(TEM)研究了该体系的微观结构特性,并通过电子能量损失谱(EELS)揭示出高压合成导致样品中载流子浓度明显高于常压样品,证明样品制备过程中高压有利于超导电性的形成.同时对高压样品中的缺陷和局域晶体结构畸变进行了深入分析.

关键词: 高Tc超导体 , 高分辨电子显微术 , 电子能量损失谱

Zr(Cr,V)2 Laves相长周期堆垛结构的高分辨电子显微术观察

周鸥 , 姚强 , 孙坚

金属学报 doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2006.08.003

应用高分辨电子显微术对退火态Zr(Cr,V)2 Laves相的显微结构进行了观察.结果表明退火态Zr(Cr,V)2 Laves相在低倍显微观察下呈现层片状组织,并存在长周期堆垛结构;高分辨电镜和快速Fourier变换分析证明,退火态Zr(Cr,V)2长周期结构为C36(4H)结构,同时存在8H堆垛结构和少量其它过渡性多层堆垛结构.并就合金元素V对ZrCr2 Laves相稳定性的影响进行了讨论.

关键词: Zr(Cr,V)2 Laves相 , 长周期结构 , 高分辨电子显微术

Zr_4Co_4Si_7晶体结构的高分辨电子显微分析

茅建富 , 贺连龙 , 叶恒强 , 杨德庄 , 唐之秀

金属学报

利用电子显微分析方法研究了Zr4Co4Si7,化合物的晶体结构.选区电子衍射结果表明Zr4Co4Si7为体心四方点阵,空间群为I4/mmm.沿[001]轴拍摄的高分辨像中较大的亮点代表了以Si原子为心的反对称四棱柱,小亮点则代表了以Co原子为心的Si八面体链.利用多层法进行计算机图像模拟计算所得的像与高分辨像匹配良好.本文结果与前人用X射线单晶衍射方法建立的Zr4Co4Si7晶体结构模型相符

关键词: V相(Zr_4Co_4Ge_7类型) , crystal structure.HRTEM technique , null

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