卢利平
,
刘景和
,
李建立
,
万玉春
,
张亮
,
曾繁明
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.02.005
采用物理气相输运法对ZnSe(4N)多晶原料在850℃±10℃进行提纯,再用高压坩埚下降法在1530℃、氩气保护气氛下生长出高质量ZnSe单晶体.研究了提纯过程温度的选择以及氧含量和压力对于晶体生长的影响.对生长出的单晶体进行均匀性测试表明ZnSe单晶完整性和均匀性良好.对ZnSe单晶进行光学性能测试分析表明ZnSe单晶的折射率高,吸收系数低,红外透过率大于70%.
关键词:
ZnSe单晶
,
物理气相输运法
,
高压坩埚下降法
,
透过率
