张玉龙
,
姚忻
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2005.03.008
本文从基片和种膜、LPE的初始阶段研究和超导性能的控制这三个方面回顾总结了液相外延生长REBCO(RE=稀土元素)厚膜的研究进展.我课题组发现的高温超导体氧化物YBCO的过热现象直接证实了采用低包晶熔点的YBCO种膜可以生长包晶温度较高的REB-CO,丰富了种膜的选择范围,此现象尤为值得关注.在LPE生长的初始阶段存在种膜的部分溶解、夹杂的形成和与稀土元素种类有关的择优生长等现象,用包括曲率效应和界面能影响的粗化机制可以解释以上现象.因而生长高结晶性的LPE厚膜时选用高品质的种膜甚为重要.为优化生长工艺,须考虑种膜的品质、熔剂中的Ba/Cu比和气氛对Mg的污染和结晶取向,RE离子对Ba的替代等方面问题,以达到获得高质量的REBCO LPE厚膜的目的.
关键词:
液相外延生长
,
高温超导体
,
厚膜
,
择优生长
高恩志
,
李金山
,
曹海涛
,
胡锐
,
阵忠伟
,
傅恒志
,
张平祥
材料科学与工艺
doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2007.05.021
为了使高温超导体YBa2Cu3O7-d(简称YBCO)的晶粒取向排列,提高其临界电流密度,利用定向凝固方法生长YBCO棒材.采用光学显微镜、扫描电子显微镜研究了定向凝固工艺(抽拉速率和添加211粒子)对YBCO显微组织及片层生长的影响.结果表明,改变抽拉速率可以改善片层质量,211粒子是显微组织及片层厚度的重要影响因素;较低的抽拉速率有利于高质量定向结构的生长;均匀分布的细小Y211粒子会使片层厚度变薄,晶界连通性改善,有利于YBCO的生长.
关键词:
高温超导体
,
定向凝固
,
YBCO
,
抽拉速率
,
211粒子
白忠
,
王智河
,
李配军
,
聂阳
,
邱里
,
丁世英
,
张宏
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2005.z1.037
采用热驰豫方法在0到9T范围内测量了熔融织构Y0.8Ca0.2Ba2Cu3O y的比热.零场下,2～180K的比热结果可以用Einstein模型来描述.通过4-Einstein峰拟合声子谱的方法,我们分别处理了不同磁场下超导转变附近的比热,获得了晶格比热和不同磁场下的电子比热,并将实验结果与London模型的计算结果进行对比,发现London模型能够很好地模拟出我们的实验结果.
关键词:
高温超导体
,
比热
王智河
,
聂阳
,
白忠
,
李配军
,
邱里
,
丁世英
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2005.z1.062
采用光刻蚀和Ar离子刻蚀技术成功地在Bi-2212单晶表面制备出台阶型本征Josephson单个结,并在5～65K范围内用四引线法测量了该结零场下的I～V特征曲线.结果表明,临界电流几乎保持不变,但返回电流随温度增加而增大;与此同时,Mccumber参数βc随着温度增加而减小.临界温度附近,跳跃电压ΔV明显偏离BCS理论.
关键词:
高温超导体
,
本征结
赵玉峰
,
何天虎
低温物理学报
基于高温超导体热磁相互作用机制,建立反映临界电流密度的非均匀分布效应的简化模型,研究了临界电流密度的非均匀分布效应对磁化曲线和磁通跳跃的影响.在绝热磁通跳跃理论的基础上引进了外磁场变化速率对磁通跳跃的影响,推导出能够精确预测磁通跳跃场大小的递推公式.根据临界态模型计算了超导样品的磁化曲线和磁通跳跃现象,确定了初次磁通跳跃场的环境温度和外磁场变化速率的有效范围,并且发现非均匀分布模型下的磁通跳跃场明显小于均匀分布模型的跳跃场.结果表明,对于初次磁通跳跃场,本文的理论预测结果和实验结果基本上一致,尤其和数值模拟的结果在很大的范围内有很好的吻合.临界电流密度的非均匀分布效应确实能够降低磁通跳跃场,加剧高温超导体中的磁通跳跃不稳定性.
关键词:
临界电流密度的非均匀分布
,
磁通跳跃
,
磁通钉扎
,
高温超导体
贺丽
,
胡翔
,
尹澜
,
徐晓林
,
郭建栋
,
李传义
,
尹道乐
低温物理学报
报道了高温超导体中钉扎影响霍尔电阻ρxy和霍尔角θH的普适标度律.这组标度律可以被多种不同的高温超导体的实验数据所验证.同时,根据已经得到的扩展幂律形式的纵向电阻ρxx以及霍尔电阻ρxy的表达式,推导出了这组标度律.
关键词:
高温超导体
,
标度律
,
霍尔电阻
,
霍尔角
耿兴国
,
李金山
,
傅恒志
,
刘骞
,
苏克和
,
张翠萍
,
周廉
稀有金属材料与工程
用电子密度泛函方法(DFT),系统计算了高温超导体YBa2Cu3O7单胞的能隙随温度变化(5K～300K)的规律.计算结果表明,其超导能隙值2△(T)在101meV量级;并在超导临界温度点(Tc=93 K)附近,有超导能隙不为零的极小值;当温度超过Tc时,YBa2Cu3O7有赝能隙存在,且赝能隙随温度升高至T*=120K时,达到极大值;当温度超过T*时,赝能隙又有明显减小趋势.用DFT方法对YBa2Cu3O6单胞的能隙进行了计算,发现其能隙值是102 meV量级,表明它具有半导体能级特征,因而是非超导体.
关键词:
高温超导体
,
YBa2Cu3O7
,
超导能隙
,
赝能隙
,
电子密度泛函(DFT)
