王菲菲
,
邵喜斌
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20163108.0760
为满足液晶面板尤其是大尺寸产品对高透过率不断提升的需求，进行负型液晶在 ADS 广视角技术中的研究。首先，介绍 ADS 技术的发展进程及主要特点，然后模拟分析负型液晶参数变化对 ADS 显示特性的影响，最后，利用 mini cell 对负型液晶和 PI 材料的进行实验室评价。液晶参数中：Δn 影响透过率，|Δε|和 K 值影响响应时间和工作电压，γ1影响响应时间。负型液晶透过率比正型液晶提升约8％，但响应时间增加约50％，负型液晶与 PI 的匹配性及残像差于正型液晶，与 PI 材料的搭配对残像有显著影响。调整负型液晶参数可优化产品性能。负型液晶可大幅提高产品的透过率，但需要加快响应时间和提升残像水平。响应速度的提高除了需要降低液晶的黏度，还需在电极结构优化方面做更多努力，而残像水平的提升，除提高负型液晶材料本身的稳定性外，与其搭配的取向材料的研发也十分重要。
关键词:
广视角技术
,
高级超维场转换技术
,
负型液晶
,
残像
栗鹏
,
朴正淏
,
金熙哲
,
金在光
,
尚飞
,
邱海军
,
高文宝
,
韩乾浩
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20173201.0019
高级超维场转换技术(Advanced Super Dimension Switch,简称 ADS)是以宽视角技术为代表的核心技术统称,其显示模式过大的存储电容(C st )成为限制 Dual Gate GOA 4K TV 应用的主要因素.在较短的充电时间内,像素为了维持相同的充电率,需要降低 C st .本文采用一种双条形电极 ADS 结构(Dual Slit ADS),其中像素电极与公共电极交叠区域形成 ADS 结构,像素电极与公共电极间隔区域形成共面转换(IPS)结构,通过减少像素电极与公共电极的交叠面积,起到降低 ADS 模式 C st 的目的.模拟结果表明：当 ADS 显示模式采用 Dual Slit ADS 设计时,像素的 C st 可以下降30％~40％.实验结果表明：采用 Low Cst Pixel ADS 设计时,VGH Margin 可以增大2．5 V,但受到像素电极和公共电极的对位影响,透过率下降5％.
关键词:
高级超维场转换技术
,
Dual Gate GOA
,
4K TV
,
存储电容
,
双条形电极
