何金江
,
陈明
,
朱晓光
,
罗俊锋
,
尚再艳
,
贺昕
,
熊晓东
贵金属
高纯 Au、Ag、Pt、Ru 贵金属及其合金溅射靶材是半导体 PVD 工艺制程中的溅射源材料，广泛用于半导体制造工艺中，成为保证半导体器件性能和发展半导体技术必不可少及不可替代的材料。材料的高纯化、高性能贵金属及其合金靶材的制备（金属熔铸、热机械处理、粉末烧结、焊接等）以及贵金属靶材残靶及加工余料残屑的提纯回收利用是研究发展的重点，以实现贵金属靶材产品的高效增值。
关键词:
金属材料
,
半导体
,
溅射靶材
,
高纯
,
金
,
银
,
铂
,
钌
丁艺
,
旦辉
,
林金辉
材料导报
介绍了高纯球形纳米SiO2在电子封装材料中的应用,高纯球形纳米SiO2的优越特性(高介电、高耐热、高耐湿、高填充量、低膨胀、低应力、低杂质、低摩擦系数等)和作用.并归纳和评价了高纯球形纳米SiO2的制备方法,认为以水玻璃为基本原料,采用溶胶-凝胶法能制备出可应用于电子元器件塑封料填料的高纯球形纳米SiO2.
关键词:
高纯
,
球形
,
纳米SiO2
,
电子封装材料
赵杰
材料开发与应用
doi:10.3969/j.issn.1003-1545.2009.06.009
本文介绍了以氧化铁皮为原料,经过盐酸酸浸、还原铁粉除杂获得净化的FeCl2溶液,纯净FeCl2溶液的合理工艺条件为:盐酸浓度为6mol/l, 酸浸温度80℃,酸浸时间30min,盐酸过量系数为1.74.此工艺条件下,铁的浸出率达94.5%.制备FeCO3条件:FeCl2的初始浓度为0.8mol/l, CO2-3:Fe2+摩尔比为2;反应时间为60min;反应温度40℃;搅拌速度为250r/min;沉淀物在60℃下干燥1h,700℃下煅烧2h,获得椭球形分散性较好的,平均粒径为47nm的氧化铁.
关键词:
氧化铁皮
,
制备工艺
,
纳米
,
高纯
,
氧化铁
黄小珂
,
伍祥武
,
谢元锋
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2011.04.008
以Cu,In,Se为原料制备了高纯CuInSe2块体材料.分别采用熔盐净化-电解-区域熔炼工艺和真空蒸馏-区域熔炼联合工艺对原料In,Se进行提纯,可获得纯度99.9999%In和99.9995%Se.采用多室真空梯度合成工艺,制备出纯度大于99.999%的CuSe、In2Se3中间化合物.将其破碎混匀后压制烧结,合成出的块体材料成分均匀、纯度大于99.999%.XRD分析表明,块体相结构为CuInSe2相.
关键词:
高纯
,
梯度合成
,
CuInSe2块体
,
烧结
成维
,
李宗安
,
陈德宏
,
庞思明
,
王志强
,
王祥生
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2011.05.027
对锂热还原-真空蒸馏联合法制备金属镧所涉及热力学和动力学因素进行了简要的分析,证明该工艺过程可行；在此基础上,在氩气气氛下考察了还原温度、还原剂用量和保温时间对金属收率的影响,确定了适宜的工艺条件为:还原反应温度为950℃,锂还原剂过量10％,反应保温时间1h,在此工艺条件下金属镧收率可以达到95％以上.为降低氯化物吸水及气体杂质对金属镧的污染,将锂热还原和真空蒸馏除杂整合在同一设备中一次完成,制备得到了国内报道的目前高纯度的金属镧,绝对纯度为99.974％(相对于38个分析元素),相对纯度为La/REM ≥99.995％,其中稀土金属杂质总量为42.7 μg·g-1,非稀土金属杂质总量为100.1 μg·g-1,气体杂质C,S,O,N分别为20,20,56和20 μg·g-1.
关键词:
金属镧
,
高纯
,
还原
,
真空蒸馏
刘彩利
,
赵永庆
,
田广民
,
刘啸锋
中国材料进展
doi:10.7502/j.issn.1674-3962.2015.02.09
介绍了现代烧结技术(微波烧结、放电等离子烧结、选择性激光烧结)、先进高纯材料制备技术(电子束精炼、区域熔炼、等离子弧熔炼)、近净成形技术(3D打印、金属注射成形、高能喷涂成形)和抗氧化技术(涂层、复合材料等)4类先进制备技术.阐述了基本原理、技术优势、国内外研究现状及其在难熔金属材料制备方面的初步应用,并指出难熔金属材料的制备正在向着更高纯度、更高抗氧化性能及近终成形方向发展.最后提出了采用先进技术制备高性能难熔金属材料亟待解决的一些突出问题:从实验室走向实际应用还需要大量的的试验和基础研究数据;需要进一步提高难熔金属单晶纯度、扩大单晶品种和规格;近净成形件完全代替传统锻件要先解决内部组织和缺陷的控制、综合力学性能的调控等;高温抗氧化时长需进一步提高.
关键词:
难熔金属材料
,
现代烧结
,
高纯
,
近净成形
,
抗氧化
顾惠敏
,
王伟
,
翟玉春
稀有金属材料与工程
以自制的高纯硫酸镁和由氨水、氢氧化钠组成的复合碱液为原料制备高纯纳米氢氧化镁粉体.考察几种关键因素对镁沉淀率和产物平均粒度的影响.结果表明,随着溶液中Mg~(2+)初始浓度和反应温度的提高,镁沉淀率提高,产物平均粒度先降低后提高;延长反应时间和陈化时间,镁沉淀率和产物平均粒度都提高;提高搅拌速度,镁回收率提高不大,但产物平均粒度减小.当Mg~(2+)初始浓度2.0 mol×L~(-1),反应温度50 ℃,反应时间60 min,搅拌速度900 r×min~(-1),陈化时间90 min时,Mg沉淀率为95.4 %,得到的氢氧化镁粉体为六方片状颗粒,粒度在50～140 nm,且粒度分布均匀,分散性好,纯度很高.
关键词:
氢氧化镁
,
高纯
,
纳米晶
,
氨碱沉淀法
李娜
,
瞿志学
,
徐晓伟
,
范慧俐
,
郑延军
功能材料
在高温固相法的基础上,通过在900℃对原料进行预处理,成功制备出一种高纯、致密的长余辉块体材料.通过扫描电镜对其表面形态进行表征,结果表明该块体材料致密、均匀、无裂纹;并通过XRD测试分析发现预处理后SrAl2O4相已基本形成.
关键词:
高温固相法
,
预处理
,
高纯
,
致密
谈高
,
刘来宝
,
廖其龙
功能材料
以四川广元金子山所产天然脉石英为主要原材料,经表面擦洗、破碎、磁选、煅烧、水淬、粉磨、酸浸、清洗、过滤及烘干等工艺措施对其除杂处理,制备了SiO2含量〉99.99%的高纯超细SiO2粉体。研究了单一酸、混合酸酸浸处理对Al、Fe主要有害杂质的去除效果,获得了技术可行、经济合理的酸浸工艺路线。所得样品粉体粒径d50约为291nm,Al含量为1.365×10-5,Fe含量为2.36×10-6,达到了电子行业标准对硅微粉技术指标的要求。
关键词:
天然脉石英
,
高纯
,
超细
,
粉体
李宗安
,
张炜
,
徐静
,
赵斌
,
肖锋
,
张耀
稀土
doi:10.3969/j.issn.1004-0277.2002.06.010
研究了直接还原-真空蒸馏法和中间合金-真空蒸馏法制备高纯金属铽的工艺,对原辅材料纯度、工艺路线和蒸馏温度对产品纯度的影响以及真空蒸馏对杂质的去除效果进行了讨论,并采用直接还原-真空蒸馏工艺制得了国内目前质量最好的金属铽.
关键词:
金属铽
,
高纯
,
真空蒸馏
,
提纯
