白云
,
麻芃
,
朱杰
,
刘键
,
刘新宇
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.01.015
在AlGaN pin型日盲紫外探测器结构中的p-AIGaN层上生长了Ni/Au和Pd/Au,并在600-850℃温度下进行快速热退火,测量其退火前后传输线模型中各金属接触间的电学性质.实验发现,Ni/Au与Pd/Au在p-AlGaN上表现出了不同的接触性能.为了更好的说明金属与p-AlGaN材料接触之间在退火后电流的变化,还测量了p-AlGaN材料裸片两点之间I-V曲线在退火前后的变化.实验表明,比起Ni/Au来,Pd/Au在p-AlGaN材料上制备欧姆接触具有一定的优势,并在文中进行了分析.
关键词:
p-AlGaN
,
高Al组分
,
欧姆接触
