苏伟涛
,
王锦程
材料导报
近年来,多元高k氧化物材料一直是高k材料研究的热点.从材料结构以及物理性能研究方面对多元高k氧化物如多元稀土氧化物、多元过渡金属氧化物、稀土氧化物一过渡金属化合物的最新研究进行了总结.并对高k材料中最有应用潜力的氮氧化物和叠层栅的物理性能和研究状况进行了评述.
关键词:
栅介质薄膜
,
高k材料
,
多元稀土氧化物
,
氮氧化物
章宁琳
,
宋志棠
,
万青
,
林成鲁
功能材料
随着半导体技术的不断发展,MOSFET (metal-oxide-semiconductor field effect transistor)的特征尺寸不断缩小,栅介质等效氧化物厚度已小至nm数量级.这时电子的直接隧穿效应将非常显著,将严重影响器件的稳定性和可靠性.因此需要寻找新型高k介质材料,能够在保持和增大栅极电容的同时,使介质层仍保持足够的物理厚度来限制隧穿效应的影响.本文综述了研究高k栅介质材料的意义;MOS栅介质的要求;主要新型高k栅介质材料的最新研究动态;展望了高k介质材料今后发展的主要趋势和需要解决的问题.
关键词:
MOSFET
,
高k材料
,
栅介质
卢红亮
,
徐敏
,
张剑云
,
陈玮
,
任杰
,
张卫
,
王季陶
功能材料
原子层淀积(ALD)技术作为一种先进的薄膜制备方法近年来越来越得到重视,它能精确地控制薄膜的厚度和组分,实现原子层级的生长,生长的薄膜具有很好的均匀性和保形性,因而在微电子和光电子等领域有广泛的应用前景.本文综述了ALD技术的基本原理,及其在金属氧化物薄膜制备上的研究进展.
关键词:
原子层淀积(ALD)
,
金属氧化物薄膜
,
高k材料
