李波
,
张树人
,
周晓华
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2007.00706
研究了V2O5掺杂BaTiO3-Y2O3-MgO系陶瓷的显微结构和介电性能. SEM显示V2O5会促进该体系晶粒生长, 降低陶瓷致密度. XRD显示V掺杂样品均为单一赝立方相, 其固溶度>1.0mol%. 研究表明, V离子能有效抑制掺杂离子Y、Mg向BaTiO3晶粒内扩散, 改变掺杂离子在晶粒中分布,
从而形成薄壳层的壳芯晶粒, 因此V能提高居里峰的强度并改善电容温度稳定性. 多价V离子在还原气氛中以+3、+4为主, 能增强瓷料的抗还原性, 提高绝缘电阻率(1013Ω·cm)、降低介电损耗(0.63%). 该体系掺杂0.1mol%V时, 介电常数达到2600, 满足X8R标准.
关键词:
钛酸钡
,
V2O5
,
microstructure
,
dielectric properties
,
multilayer ceramic capacitor
孔令丽
,
钟顺和
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2006.01203
采用表面改性法制备了SiO 2负载的复合半导体材料NiO-V2O5-SiO2. 用BET、TPR、XRD、Raman、TEM、IR和UV-Vis DRS技术对固体材料的结构和光吸收性能进行了表征. 结果表明V2O 5在载体表面以微晶形式存在, 粒径约为10nm, NiO和V2O 5复合后部分形成了Ni 2+ --O--V 5+键联, 而且NiO和V2O 5在固体材料表面有相互修饰作用. NiO的加入有助于提高V2O 5在载体SiO 2表面的分散程度, 抑制V2O 5的聚合, 减小微晶尺寸, 而且可以增强固体材料的光吸收性能, 提高复合半导体对光能的利用率.
关键词:
复合半导体
,
vanadium oxide
,
nickel oxide
,
light adsorption ability
