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高均匀性高掺镁铌酸锂晶体的生长与表征

涂小牛 , 郑燕青 , 陈辉 , 孔海宽 , 忻隽 , 曾一明 , 施尔畏

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2010.01257

采用提拉法生长了高掺镁铌酸锂晶体, 并采用高温极化法使晶体单畴化. 为研究晶体的成分均匀性、光学均匀性及铁电畴均匀性, 采用光谱、激光干涉、电子探针、显微观察等表征手段测定与观察了晶体的紫外吸收边、OH吸收峰、折射率梯度Δn、晶体径向上的微观成分及晶体的铁电畴结构. 结果表明: 通过采用合适的生长组分和改进提拉法生长工艺获得了高质量的高掺镁铌酸锂晶体. 晶体的紫外吸收边位于308 nm附近, OH吸收峰位于高抗光损伤阈值特征峰2828 nm处, 光学均匀性达Δn< 5.11×10-5. 在1200℃下通过外加电场极化获得了高均匀性且完全单畴的铁电畴结构.

关键词: 高掺镁铌酸锂晶体 , UV absorption edge , OH absorption peak , domain structure , optical homogeneity

热键合制作Yb:Y3Al5O12/Y3Al5O12复合晶体

王晓丹 , 赵志伟 , 王静雅 , 徐军 , GilbertBourdet , J.-C.Chanteloup

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2008.00125

采用热键合技术制备了Yb:Y3Al5O12/Y3Al5O12(Yb:YAG/YAG)复合晶体, 对复合晶体进行了结构表征和键合质量检测. 利用光学显微镜和扫描电镜观察了复合晶体横截面的形貌; 在偏光显微镜下观察键合区域的应力, 利用干涉条纹来表征复合晶体的光学均匀性; 通过红外透过光谱的测量来检测复合晶体的键合质量. 实验结果表明: 热键合技术制备的Yb:YAG/YAG复合晶体键合界面处无界面缺陷, 不存在复合界面空间过渡层, 光学均匀性良好.

关键词: Yb:YAG/YAG , bonding quality , stress , optical homogeneity , thermal bonding

坩埚下降法生长钨酸镉单晶的光学均匀性

陈红兵 , 肖华平 , 徐方 , 方奇术 , 蒋成勇 , 杨培志

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2009.01036

采用垂直坩埚下降法生长出大尺寸CdWO4单晶, 通过DSC/TG、XRD、电子探针、透射光谱和X射线激发发射光谱对单晶进行了测试表征, 分析了单晶生长过程中熔体挥发情况和单晶化学成分变化, 研究了所生长单晶的光学均匀性的变化规律. 结果表明, CdWO4单晶生长过程存在比较严重的熔体挥发, 且熔体中CdO比WO3更加易于挥发; CdWO4单晶的化学组成存在不同程度缺Cd的特征, 初期生长晶体的n(Cd)/n(W)比相对高, 后期生长晶体的n(Cd)/n(W)比持续减小, 相应地单晶在380~550nm区域的光透过率略有降低, X射线激发发光强度有所降低, 且发光波长出现略微红移的趋势. 通过提高多晶料纯度、减少熔体挥发和氧气氛退火处理, 可以改善坩埚下降法生长CdWO4单晶的光学均匀性.

关键词: 钨酸镉 , crystal growth , Bridgman process , optical homogeneity

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