卢洋藩
,
叶志镇
,
曾昱嘉
,
陈兰兰
,
朱丽萍
,
赵炳辉
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2006.01511
采用Li-N-H共掺技术在玻璃衬底上生长p型ZnO薄膜. XRD结果表明共掺ZnO薄膜具有高度cll轴取向, Hall测试表明薄膜的电阻率为25.2Ω·cm, Hall迁移率为0.5cm2/(V·s), 空穴浓度为4.92×1017/cm3. 此外, p-ZnO薄膜在可见光区域具有90%的高透射率.
关键词:
p-ZnO
,
magnetron sputtering
,
codoping
曾昱嘉
,
叶志镇
,
吕建国
,
李丹颖
,
朱丽萍
,
赵炳辉
无机材料学报
目前,制备性能优异的p-ZnO薄膜的可重复性问题已成为制约ZnO基光电器件发展的一个主要因素.本文利用直流反应磁控溅射技术,以X射线衍射,霍尔效应测试,X射线光电子能谱及透射光谱为表征手段,研究了不同衬底温度对Al+N共掺p-ZnO薄膜电学、光学、结晶性能的影响,并从N2O的分解反应及衬底表面各种原子的迁移过程提出导致薄膜性能差异的原因.在最佳衬底温度(500℃)时,p-ZnO薄膜空穴浓度达2.52×1017cm-3,电阻率为28.3Ω·cm.
关键词:
P-ZnO
,
magnetron sputtering
,
codoping
