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相组成对PMN-PT陶瓷压电性能的影响

朱为民 , 李承恩 , 郭存济 , 颜莉华

无机材料学报

研究了PMN-PT陶瓷在准同型相界(MPB)区域、不同烧结温度下,化学组成、相组成对陶瓷压电性能的影响.发现对于同一化学组成的陶瓷,随着烧结温度的上升,发生了菱方相→四方相的相转变,同时随着菱方相、四方相相比例的接近,陶瓷的压电性能有显著的提高.而在不同烧结温度下,最佳压电性能所对应的化学组成有微小的变化.据此认为,陶瓷的压电性能不仅与化学组成有关,而且与相组成也密切相关,随着烧结温度的变化,发生了准同型相界的微小移动

关键词: 化学组成 , phase composition , MPB , piezoelectric properties

PNW-PMS-PZT压电陶瓷准同型相界的压电性能研究

裴志斌 , 杜红亮 , 车俊 , 魏晓勇 , 屈绍波

无机材料学报

采用传统陶瓷工艺制备了PNW—PMS—PZT四元系压电陶瓷,分析了陶瓷样品的相结构组成,结果表明,所有陶瓷样品的相结构为纯钙钛矿相结构;研究了室温下PMS含量,PNW 含量和Zr/Ti的变化对准同型相界的影响规律,实验表明随着PMS、PNW含量和Zr/Ti的增加,材料体系逐渐由四方相向三方相过渡,获得了处于准同型相界附近的材料组成:PMS 的含量在5—6mol%、PNW的含量在2—3mol%、PZT的含量在91—93mol%、Zr/Ti的变化靠近50/50,同时具有高的机电性能.

关键词: PNW-PMS-PZT压电陶瓷 , morphotropic phase boundary , rhombohe-dral , tetragonal

Na1/2Bi1/2TiO3-BaTiO3系陶瓷压电性及弛豫相变研究

初宝进 , 李国荣 , 江向平 , 陈大任

无机材料学报

系统研究了(1-)Na1/2Bi1/2TiO3-BaTiO=0.02、0.04、0.06、0.08、0.10)无铅压电陶瓷系统的相界、材料压电性能,弛豫特性及相变.这个系统的陶瓷材料具有较大,频率常数比较高等特点.X-ray衍射结构分析发现此系统的相界在0.04<<0.06之间;材料的一些主要性能在相界附近达到极值.利用介电系数-温度曲线,并结合热激电流曲线对此系统的弛豫性进行研究和分析;初步研究了各配方组成的铁电-顺电的相变过程,发现在一定的组成范围内,材料在由铁电相向顺电相的转变过程中经历了一个过渡相区.

关键词: (1-x)Na1/2Bi1/2TiO3-xBaTiO3 , lead-free piezoelectric ceramics , morphotropic boundary , relaxation phase transition , transitional phase region

Pb(Ni1/3Nb2/3)O3-PbTiO3系统准同型相界附近的介电异常

李振荣 , 姚熹

无机材料学报

用两步合成法制备了(1-)Ph(Ni1/3Nb2/3)O3-PbTiO=0.30~0.40)陶瓷,对其相 结构和介电性能进行了研究.XRD分析表明,准同型相界在PT含量=0.34~0.38范围内. 介电性能研究结果表明;组成在准同型相界处的试样,其介电常数呈现最大值.同时还发现, 准同型相界处的陶瓷出现介电双峰,其中一个为弛豫型铁电相向顺电相转变的相变峰;另一个 介电峰处于130~150℃的高温区,可能是由镍离子变价、相结构变化等缺陷引起的松弛极化 产生的.

关键词: 铌镍酸铅 , morphotropic phase boundary , dielectric properties , dielectric dual peaks , relaxational polarization

PSN-PZN-PZT四元系压电陶瓷的研究

赵莎莎 , 孙清池 , 吴浩

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2006.00375

采用传统的固相烧结方法制备了Pb(Sn1/3Nb2/3)O3-Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-PbZrO3-PbTiO3(PSN-PZN-PZT)四元系压电陶瓷, 并通过添加MnO2、Sb2O3和Cr2O3以及改变Zr/Ti比来达到提高K p和Q m的目的. 同时也对Zr/Ti比对材料温度稳定性的影响进行了分析. 实验结果表明: 在960℃的预烧温度、1240℃的烧成温度下, 添加少量的MnO2、Sb2O3和一部分Cr掺杂, 得到综合性能优良的压电材料: 室温下介电常数ξ33T0=1669, 压电常数d33=285×10-12C/N, 机械品质因数Q m=2179, 机电耦合系数K p=54.9%, 介电损耗tanδ=0.4%. 可以满足超声马达和压电变压器等应用方面的要求.

关键词: 压电陶瓷 , dielectric and piezoelectric properties , morphotropic phase boundary , temperature stability

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