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Al2O3-ZrO2(3Y)-SiC纳米复合材料的制备及性能

王宏志 , 高濂 , 归林华 , 郭景坤

无机材料学报

本文研究了非均相沉淀法制备Al2O3-ZrO2(3Y)-SiC复合粉体的工艺过程,认为粉体的理烧温度是至关重要的,热压烧结得到了致密的Al2O3-ZrO2(3Y)-SiC纳米复合材料,ZrO2的加入对烧结温度的影响不大.通过TEM观察,SiC颗粒均匀分散于材料中,大的ZrO2颗粒位于Al2O3晶粒间,小的圆形ZrO2颗粒位于Al2O3晶粒内,一部分Al2O3晶粒呈非等轴状.80Wt%Al2O3-15wt%ZrO2-5Wt%SiC纳米复合材料的抗弯强度可达555MPa,韧性为3.8MPa.m1/2.

关键词: 纳米复合材料 , null , null , null

a-C:H(N)薄膜的制备及性能

程宇航 , 吴一平 , 陈建国 , 乔学亮 , 谢长生 , 许德胜

无机材料学报

采用射频直流等离子化学气相沉积法用 C 、 N 和 Ar 组成的混合气体制备a-C: H ( N) 薄膜, 研究了薄膜的制备工艺、结构及直流导电特性实验结果表明, a C: H ( N) 薄膜的沉积速率随混合气体中 C 含量的增加而增大, 当混合气体中 N2 含量增加到75 % 时, 薄膜的含氮量增大到909 % 薄膜中 C、 N 原子以 C≡ N 和 C- N 键的形式存在, 结合进薄膜中的氮大大降低薄膜的直流电阻率

关键词: a-C:H(N)薄膜 , null , null , null

制备工艺对n型Bi2Te3基材料热电性能和抗压强度的影响

王善禹 , 谢文杰 , 唐新峰

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2010.00609

以商用区熔(ZM)n型Bi2Te3基材料为原料, 采用简单研磨结合放电等离子烧结技术(ZM+SPS)和熔体旋甩(MS)结合放电等离子烧结技术(MS+SPS)制备了n型Bi2Te3基块体热电材料. 对三种不同工艺制备出样品的微结构、热电性能和力学性能进行了研究. FESEM微结构表征结果表明: 区熔样品的晶粒粗大, 有较强的取向性; 经SPS烧结后, 晶粒细化, 取向性大为降低; 而区熔样品经MS+SPS后, 晶粒得到进一步细化, 且没有明显的取向性. 对三组样品进行的热电性能和抗压强度测试, 结果表明: 区熔原料最大ZT值为0.72(430K), 抗压强度仅为40MPa; 经SPS后, 样品的最大ZT值为0.68(440K), 抗压强度为110MPa, 相比区熔样品提高了175%;  MS+SPS样品的最大ZT值为0.96(320K), 其室温ZT值相比区熔样品提高了64%, 抗压强度相比区熔样品提高了400%, 达到200MPa.

关键词: 碲化铋 , preparation technique , thermoelectric property , pressive strength

固体氧化物电解池铁酸锶镧基复合阳极的制备及性能研究

王娟娟 , 张勇 , 孔江榕 , 邓长生 , 徐景明

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2010.00979

分别采用丝网印刷和浸渍法两种工艺制备了固体氧化物电解池(SOEC)铁酸锶镧(LSF)基复合阳极, 通过XRD、TEM、SEM等手段对LSF粉体和复合材料的相结构和微观结构进行了分析, 利用电位扫描以及电化学阻抗谱(EIS)比较了这些复合阳极在SOEC工作温度800?C时的电化学性能. 结果表明, 采用共沉淀?共沸蒸馏(CP-AD)合成的LSF20(La0.8Sr0.2FeO3-δ)粉体粒径约为20~30 nm, 其都分布在氧化锆(YSZ)陶瓷骨架上; 800℃时, 浸渍法工艺制备的LSF20-YSZ复合阳极在0.1V极化过电位下的极化电流值为0.38~0.49A/cm2, 约为丝网印刷工艺制备的电化学性能的2~2.5倍.

关键词: 复合阳极 , process , electrochemical performance

载银4A沸石抗菌剂的制备及其抗菌性能的研究

侯文生 , 魏丽乔 , 戴晋明 , 贾虎生 , 许并社

无机材料学报

以4A沸石为载体, AgNO3溶液为反应液,通过离子交换法,制备载银沸石抗菌剂.探讨了制备工艺对沸石交换性能的影响;通过X射线衍射分析表征了样品的结构,并对其抗菌性能进行了测定.结果表明:交换液的浓度、反应温度、反应时间、pH值等对沸石的交换性能有较大的影响;交换液浓度为0.1mol/L、pH值为6-8为宜,从能耗角度考虑,室温为宜,但从反应时间考虑,应该选用加热;样品对大肠杆菌、沙门氏菌具有良好的抗菌性能.

关键词: 载银沸石抗菌剂 , preparation process , antibacterial performance

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