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牟其善 , 刘希玲 , 马长勤 , 王绪宁 , 路庆明
无机材料学报
研究KTiOAsO4晶体的生长缺陷,对于改善它的性能和应用前景,有很大的意义.本文利用化学腐蚀光学显微术和同步辐射X射线形貌术研究了KTiOAsO4晶体的缺陷,实验结果表明,两种腐蚀剂对于显示KTA晶体的表面缺陷效果显著,KTA晶体中主要的缺陷有铁电畴、生长层、扇形界、位错和包裹物.讨论了这些缺陷形成的原因。
关键词: KTiOAsO4晶体 , synchrotron radiation topography , defect , ferroelectric domain