吴召平
,
方平安
无机材料学报
利用ＸＲＤ及ＸＲＤ极图技术表征了用激光剥离技术生长的ＶＯ２薄膜．结果表明：在衬底温度为５００℃，氧气偏压６．６７Ｐａ的条件下，在Ａｌ２Ｏ３（１１２０）衬底上能实现ＶＯ２的二维外延生长．薄膜的结构除了与沉积工艺有关外，还和衬底的取向密切相关．在Ａｌ２Ｏ３（１１２０）衬底上，定向生长的（１００）ＶＯ２在Ｍｉｌｌａｒ指数＜５时，除了［０１０］以外，不存在其他晶格矢量与衬底相匹配，从而不可能实现三维单晶薄膜的外延生长．电学特性的测试结果显示，在温度为６５℃左右，ＶＯ２薄膜出现相交，薄膜的电阻率变化达４个数量级．
关键词:
二氧化钒
,
null
,
null
,
null
季振国
,
娄垚
,
毛启楠
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2010.00386
沉积参数对MOCVD法生长的AlxGa1-xN薄膜性能有很大的影响.利用高分辨XRD, 紫外－可见透射光谱, 原子力显微镜, 扫描电子显微镜和荧光光谱研究了沉积温度对低压MOCVD沉积的高Al含量的AlxGa1-xN外延膜缺陷密度以及发光性能的影响. 结果发现, 随着沉积温度的升高, AlxGa1-xN薄膜中的螺型位错密度减少, 但是刃型位错密度增加, 因此简单地改变沉积温度并不能降低总的位错密度以及提高薄膜的发光性能. 进一步地分析测试结果表明, 随着沉积温度的升高, AlxGa1-xN薄膜内的Al含量增加, 导致禁带宽度增大和发光波长的蓝移, 因此适当提高沉积温度（1000～1050℃）是获得高Al含量AlxGa1-xN薄膜的一种有效手段, 但是过高的沉积温度（>1100℃）不利于提高薄膜的发光强度.
关键词:
AlGaN
,
high Al content
,
MOCVD
,
epitaxy
,
deposition temperature
