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Ba(Mg1/3Ta2/3(1+x))O3陶瓷烧结性、微观结构及微波介电性能

卞建江 , 赵梅瑜 , 姚尧 , 殷之文

无机材料学报

本文就BMT陶瓷B位Ta非化学计量比对其烧结性、微观结构及微波分电性能的影响进行了研究.发现:(1)位Ta过量可促进BMT的烧结,而Ta缺量则阻碍其烧结.(2)B位离子有序度不仅同缺陷的数量有关,而且还同其缺陷类型有关.B位Ta缺陷的存在阻碍其有序度的提高.(3)BMT样品的Q·f值随Ta过量的增加而降低.相对介电常数则随之增加.

关键词: 位非化学计量比 , null , null , null

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