周咏东
,
金亿鑫
无机材料学报
用扫描电镜继续对发光多孔硅的阴极射线发光进行了系统的研究，得到了其阴极荧光发射部位、强度分布显微照片，发现在样品的表面层脱落处（暴露着多孔层大量微孔）无阴极射线发光产生，只有表面层未脱落处才有阴极射线发光；对样品的截面实验研究同样清楚地表明多孔硅样品的阴极射线发光只来源于其表面层，多孔层、硅单晶衬底区域不发生阴极射线发光．实验还提供了阴极射线发光强度在截面上随深度变化情况显微照片．阴极射线发光光谱表明其光谱峰值位置在680nm处，相似于多孔硅的光致发光．实验结果再次表明多孔硅的可见光来源于其表面层中的荧光物质．
关键词:
多孔硅
,
photoluminescence
,
cathodoluminescence
,
SEM
陈光华
,
吴现成
,
贺德衍
无机材料学报
采用射频等离子体增强化学气相沉积（ＣＶＤ）＋负偏压热丝辅助方法直接在Ｓｉ（１００）衬底上制备了多晶Ｃ３Ｎ４薄膜．Ｘ射线衍射测试表明，薄膜同时含有α－和β-Ｃ３Ｎ４晶相以及未知结构，没有观测到石墨衍射峰．利用扫描电子显微镜观测到线度约２μｍ、横截面为六边形的β－Ｃ３Ｎ４晶粒．纳米压痕法测得薄膜的硬度达７２．６６ ＧＰａ．
关键词:
化学气相沉积
,
C3N4
,
XRD
,
SEM
,
Hardness
