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碳源流量对碳纳米管厚膜形貌和结构的影响

曹章轶 , 孙卓 , 郭平生 , 陈奕卫

无机材料学报

采用低压化学气相沉?积(LPCVD)在镍片上制备了厚度在400~1000μm范围的碳纳米管(CNTs)薄膜, 研究了碳源(乙炔)流量对碳纳米管薄膜形貌
和结构的影响. 随乙炔流量的增加, 碳纳米管薄膜厚度和产量增大. 电子显微镜和拉曼光谱研究结果表?明, 在乙炔流量为10sccm下制备的碳纳
米管直径分布范围最小(10~100nm), 石墨化程度最高, 缺陷密度最小, 晶形最完整. 随着乙炔流量的增大(30~90sccm), 碳纳米管的直径分布
范围增大(10~300nm), 石墨化程度降低, 缺陷密度增大, 非晶化程度增加. 因此, 通过碳源流量可以控制碳纳米管薄膜的形貌和结构.

关键词: 碳纳米管(CNTs) , chemical vapor deposition , SEM , TEM , Raman spectra

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