许仕龙
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朱满康
,
黄安平
,
王波
,
严辉
无机材料学报
采用磁控溅射法,在衬底温度为620℃时,通过引入合适的衬底负偏压(100～200V),获得了结晶良好的Ta2O5薄膜,衬底负偏压增强了正离子对衬底表面的轰击作用,加速了其在衬底表面的松弛扩散效应,从而降低了Ta2O5薄膜的晶化温度,改善了其结晶性。同时,C—V测试结果表明:衬底负偏压进一步改善了Ta2O5薄膜的介电性能.
关键词:
Ta2O5
,
dielectric films
,
crystallization temperature
,
bias
武德起
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赵红生
,
姚金城
,
张东炎
,
常爱民
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2008.00865
传统的栅介质材料SiO2不能满足CMOS晶体管尺度进一步缩小的要求, 因此高介电栅介质材料在近几年得到了广泛的研究, 进展迅速. 本文综述了国内外对高介电材料的研究成果, 并结合作者的工作介绍了高介电栅介质在晶化温度、低介电界面层、介电击穿和金属栅电极等方面的最新研究进展.
关键词:
高介电栅介质
,
recrystallization temperature
,
lowK interface layer
,
metal gate
