曹明贺
,
孙越魁
,
蒋军
,
刘韩星
,
袁俊
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2006.00640
用常压烧结和热压烧结法分别制备了多晶Ca1+xB6(x=-0.02、0、0.02)陶瓷样品并对其铁磁性能进行系统分析. 结果表明, 在烧结温度低于1500℃范围内, 不论样品富Ca或赤Ca, 所有的样品均呈现铁磁性能; 另外, 两种方法制备的陶瓷样品虽然气孔率明显不同, 而其铁磁性能并没有显著差异, 认为CaB6样品存在的铁磁性机制不决定于样品中的Ca空位浓度和气孔率.
关键词:
多晶CaB6陶瓷
,
ferromagnetic
,
porosity
,
hot press sinter
李俊峰
,
林红
,
李建保
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2011.00944
研究了陶瓷粘结剂含量、碳化硅颗粒粒径以及烧结温度对高温气体过滤用碳化硅多孔陶瓷抗弯强度和气孔率的影响. 利用X射线衍射测试了多孔陶瓷烧结后的物相组成. 陶瓷粘结剂含量的增加使碳化硅多孔陶瓷的气孔率快速下降, 在陶瓷粘结剂含量15wt%时, 碳化硅多孔陶瓷可具有较高的气孔率(37.5%)和抗弯强度(27.63MPa). 随着碳化硅颗粒粒径从300?m减少到87um, 碳化硅多孔陶瓷的气孔率和抗弯强度可同时提高, 气孔率从35.5%增加到了42.4%, 而抗弯强度从19.92MPa增加到了25.18MPa. 碳化硅多孔陶瓷的烧结温度从1300℃增加到1400℃过程中, 其气孔率从38.7%迅速下降到35.4%, 而其抗弯强度一直在27MPa左右, 没有大幅变化, 所以该多孔陶瓷的烧结温度应该选在陶瓷粘结剂熔点(1300℃)附近, 不宜过高.
关键词:
碳化硅多孔陶瓷
,
filtration
,
flexural strength
,
porosity
王伟
,
薛涛
,
金志浩
,
乔冠军
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2008.00109
以滤纸和酚醛树脂为原料, 通过模压成型、固化、碳化和渗硅制备出微观结构均匀的多孔碳化硅. 碳化的温度固定时, 多孔碳的气孔率随酚醛树脂用量的增大而减少, 弯曲强度随着酚醛树脂用量的增大而增大. 酚醛树脂/滤纸两种成分的质量比固定时, 气孔率随着碳化温度的升高而减小, 弯曲强度随着碳化温度的升高而增大, 从SEM照片可以看出, 由滤纸纤维的杂乱排列和碳化时不同的收缩率产生了相互连通不规则的孔, 在多孔碳化硅结构中也得以保留. 多孔碳化硅的气孔率随着排硅时间的增加而增大, 强度和韧性随着排硅时间的增加而减小. 在1650℃, 并经过30min排Si, 较大孔隙中的Si就可以排掉, 此时得到的多孔SiC具有较高的强度和韧性.
关键词:
多孔碳化硅
,
null
,
null
,
null
夏咏锋
,
曾宇平
,
江东亮
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2008.00705
以氮化硅(Si3N4)和氧化铝(Al2O3)为起始原料, 利用原位反应结合技术制备Si3N4多孔陶瓷. 研究烧结温度和保温时间对Si3N4多孔陶瓷的微观结构、力学性能以及介电性能的影响. 结果表明: 烧结温度在1350℃以下, 保温时间<4h时, 随着烧结温度的升高, 保温时间的延长, 样品的强度和介电常数增大; 但条件超出这个范围, 结果刚好相反; 物相分析表明多孔陶瓷主要由Si3N4和Al2O3以及Si3N4氧化生成的SiO2(方石英)组成. 所制备的多孔Si3N4陶瓷的气孔率范围为25.34%～48.86%, 抗弯强度为34.77～127.85MPa, 介电常数为3.0～4.6, 介电损耗约为0.002.
关键词:
Si3N4多孔陶瓷
,
dielectric properties
,
in situ reaction bonding
,
porosity
