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低压沉积温度对MoSi₂涂层微观结构与性能影响

吴恒 , 李贺军 , 王永杰 , 付前刚 , 何子博 , 魏建锋

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2009.00392

以SiCl₄和H₂为原料，采用低压化学气相沉积（LPCVD）渗硅法在Mo基体表面原位反应制备了MoSi₂涂层，研究了沉积温度对MoSi₂涂层微观形貌、物相组成、沉积速率、涂层的硬度、涂层与基体结合强度的影响. 研究结果表明：在1100~1200℃下制备的涂层结构致密，由单一MoSi₂组成，沉积速率、涂层的硬度以及与基体的结合强度均表现为増加的趋势；当沉积温度高于1200℃，涂层出现开裂现象，由游离Si和MoSi₂两相组成，涂层沉积速率、硬度和结合强度均出现下降的趋势. 1100℃以下沉积的主要控制步骤为Si与Mo反应，而1100℃以上Si在涂层中的扩散对沉积过程起控制作用.

关键词: LPCVD , MoSi₂ coatings , microstructures , properties , deposition temperature

Zn_0.9Mg_0.1O:Ga宽带隙导电膜的 PLD制备及性能研究

陈志强 , 方国家 , 李春 , 盛苏 , 赵兴中

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2006.00707

利用脉冲激光沉积法(PLD)制备了Ga掺杂的Zn_0.9Mg_0.1O(ZMO:Ga)宽带隙透明导电薄膜. 采用各种分析手段研究了沉积温度和真空退火处理对薄膜结构、表面形貌及光电性能的影响. 结果表明, 制备的薄膜具有ZnO(002)择优取向; 200℃下沉积的薄膜通过3×10-3Pa的真空400℃退火2h后, 其电阻率由8.12×10^-4Ω·cm减小到4.74×10^-4Ω·cm, 禁带宽度则由原来的3.83eV增加到3.90eV. 退火处理增强了薄膜的择优取向和结晶度、增加了禁带宽度、提高了载流子浓度并使其透射谱线的光学吸收边发生蓝移现象.

关键词: ZnMgO:Ga膜 , pulsed laser deposition (PLD) , substrate temperature , vacuum annealing

沉积温度对高Al含量的Al_xGa_1-xN薄膜的影响

季振国 , 娄垚 , 毛启楠

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2010.00386

沉积参数对MOCVD法生长的Al_xGa_1-xN薄膜性能有很大的影响.利用高分辨XRD, 紫外－可见透射光谱, 原子力显微镜, 扫描电子显微镜和荧光光谱研究了沉积温度对低压MOCVD沉积的高Al含量的Al_xGa_1-xN外延膜缺陷密度以及发光性能的影响. 结果发现, 随着沉积温度的升高, Al_xGa_1-xN薄膜中的螺型位错密度减少, 但是刃型位错密度增加, 因此简单地改变沉积温度并不能降低总的位错密度以及提高薄膜的发光性能. 进一步地分析测试结果表明, 随着沉积温度的升高, Al_xGa_1-xN薄膜内的Al含量增加, 导致禁带宽度增大和发光波长的蓝移, 因此适当提高沉积温度（1000～1050℃）是获得高Al含量Al_xGa_1-xN薄膜的一种有效手段, 但是过高的沉积温度（>1100℃）不利于提高薄膜的发光强度.

关键词: AlGaN , high Al content , MOCVD , epitaxy , deposition temperature

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