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BST/BZT/BST多层薄膜结构与性能研究

秦文峰 , 熊杰 , 李言荣

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2010.00247

利用脉冲激光沉积法在LaNiO₃ /LaAlO₃ (001)基片上生长了Ba _0.6 Sr _0.4 TiO₃（BST）和Ba(Zr _0.2 Ti _0.8 )O₃（BZT）单层薄膜,以及Ba(Zr _0.2 Ti _0.8 )O₃/ Ba _0.6 Sr _0.4 TiO₃ / Ba(Zr _0.2 Ti _0.8 )O₃（BZT/BST/BZT）多层薄膜.X射线衍射（XRD）分析发现,BST、BZT和LNO薄膜都具有高度的（00l）取向.原子力显微镜 （AFM）显示三种样品表面光滑无裂纹,晶粒尺寸和表面粗糙度相当.电容测试表明,相对BST、BZT单层薄膜,多层薄膜具有最大的品质因数42.07.表明多层薄膜在微波应用中具有很大的潜力.

关键词: BST/BZT/BST , thin films , dielectric constant , leakage current characteristics

Ti掺杂BiFeO₃陶瓷的结构和铁电性能研究

郑朝丹 , 张端明 , 刘心明 , 刘超军 , 余春荣 , 于军

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2009.00745

用固相反应法制备了BiFe_1-xTi_xO₃(BFTxO)陶瓷样品，研究了不同Ti掺杂量对BFO陶瓷结构、形貌、铁电性能和铁电-顺电相变温度(T_c)的影响. XRD结果表明，当Ti含量x从0增大到0.2，相的结构由菱方钙钛矿逐渐变为斜方结构. Raman光谱的测试和模拟也证实了掺Ti后晶体结构有向三斜晶系转变的趋势. I-V曲线说明Ti掺杂显著降低了BFO陶瓷的漏电流，当Ti掺杂量为0.05时，漏电流最小，在100V电压下，漏电流密度为7.3×10^－6A/cm². Ti掺杂还增强了BFO陶瓷的铁电性，Ti掺杂量为0.05时的剩余极化强度甚至是纯BFO的两倍. 另外，DTA测试显示，Ti掺杂能影响BFO的铁电顺电相变温度. 随着Ti掺杂量的增加，铁电顺电相变温度逐渐降低.

关键词: BiFe_1-xTi_xO₃陶瓷 , ferroelectric property , leakage conduction

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