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CVDZnS热等静压(HIP)前后光学性能和显微结构的研究

宋睿丰 , 余怀之 , 霍承松

无机材料学报

采用红外、紫外光谱仪对热等静压（HIP）处理前后CVDZnS的光学透过率进行了测量,采用分析电子显微镜、金相显微镜和X射线衍射对原生CVDZnS和经热等静压（HIP）处理的CVDZnS的显微组织和晶体结构进行了分析.根据热等静压（HIP）处理前后CVDZnS光学透过率和材料内部显微结构的不同分析了热等静压过程造成CVDZnS光学性能提高的原因.研究表明:热等静压过程使得CVDZnS的晶粒尺寸有了很大提高,并且消除了原生CVDZnS在生长过程中形成的晶体缺陷,从而减小了原生CVDZnS中由于晶格缺陷和晶粒边界造成的散射损失,使得CVDZnS的光学透过率,尤其是在可见光及近红外波段,有了较大的提高.

关键词: CVDZnS , heat isostatic process（HIP） , transmittance , X-ray diffraction

镍基高温合金HIP扩散连接的组织和性能

闫来成 , 燕平 , 赵京晨

钢铁研究学报

采用热等静压扩散连接工艺，获得了DD402单晶合金与FGH95合金的扩散偶。研究了热等静压温度对扩散偶的持久性能、组织结构的影响。结果表明，不同温度热等静压的扩散偶均实现了冶金结合；结合界面区形成了一个组织过渡区，DD402单晶合金中的γ′ 相粒子在HIP过程中发生了筏形化；热处理后结合界面区的γ′ 相形貌和尺寸未发生明显变化。1166℃热等静压扩散偶的650℃持久性能偏低，断口在DD402单晶合金侧，断裂面从结合界面区的大尺寸γ′ 相起始，沿{111}滑移面向筏形γ′ 相区扩展。

关键词: 镍基高温合金 , diffusion bonding , microstructure , property , hot isostatic pressing

Ti₃SiC₂-64vol%SiC复相陶瓷高温氧化机理研究

唐会毅 , 朱德贵 , 刘博 , 孙红亮

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2009.00821

采用热等静压原位合成了高致密的Ti₃SiC₂-64vol%SiC复相陶瓷. 通过热重实验研究其在1100~1450℃中空气气氛的高温氧化行为和机理. 研究显示，复相陶瓷的等温动力学曲线遵循抛物线型氧化或抛物线型直线型氧化规律. SiC (64vol%)的引入显著提高了Ti₃SiC₂-SiC材料的抗氧化能力. XRD及SEM-EDS分析显示，氧化膜由外层金红石型TiO₂和非晶态SiO₂组成，过渡层为TiO₂与SiO₂混合物. 高温下（1400℃），非晶态SiO₂的形成改变了TiO₂膜的生长形态，形成致密TiO₂膜，有效阻碍了氧的扩散. 长时间氧化其抛物线速率常数比在1200℃下氧化低一个数量级. 材料在1400℃下的抗氧化性能明显优于在1200℃下的抗氧化性能.

关键词: Ti₃SiC₂-64vol%SiC复相陶瓷 , oxidation mechanism , diffusion-control mechanism , hot isostatic pressing(HIP)

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