宋鹏陆建生张德丰吕建国李德江
金属学报
doi:10.3724/SP.J.1037.2010.00713
对单一添加及同时添加La和Hf的CoNiCrAl合金进行真空高温氧化处理, 研究单一添加与同时添加La和Hf对合金表面氧化物生长机制和黏结性能的影响. 结果表明: 表面抛光的合金在1100℃氧化时, 同时添加La和Hf使CoNiCrAl合金在其表面形成了连续均匀的Al2O3, 并且具有较好的黏结性能.通过18O追踪原子氧化发现CoNiCrAlLa, CoNiCrAlHf和CoNiCrAlLaHf合金的Al2O3生长均为O2-内扩散为主的生长机制,同时伴随少量的金属离子外扩散. 单一添加La和Hf, 形成的Al2O3表面富集Cr,Co和Ni等, 且随Al2O3深度增加而逐渐降低, 这些元素促使Al2O3表面形成Ni(Co)Al2O4, 从而降低Al2O3的黏结性能. 同时添加La和Hf,没有改变O2-内扩散为主的生长机制, 但Hf能够阻碍La在氧化物/合金界面的富集,减少Ni(Co)Al2O4形成, 同时合金表面局部内氧化的钉扎效应提高了Al2O3的黏结性能.
关键词:
CoNiCrAl合金
,
La
,
Hf
,
high temperature oxidation
,
growth mechanism
韩伟强
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范守善
,
李群庆
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顾秉林
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俞大鹏
无机材料学报
本文报道了采用两步生长法生成碳化硅(SiC)纳米晶须.首先通过二氧化硅与硅反应生成一氧化硅,然后生成的SiO与碳纳米管先驱体反应生成立方结构的β-SiC纳米晶须.其直径为3~40nm,长度为2~20μm.通过XRD、HREM、Raman、PL等检测手段,对生成的碳化硅纳米晶须的形貌、结构等进行了分析研究.其直径为3~40nm,长度为2~20μm.并具有峰值位于430nm的蓝光发射带,本文中还对碳化硅纳米晶须生长机制进行了讨论.
关键词:
碳化硅纳米晶须
,
null
,
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