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  • 论文(12)

Sb-SnO2包覆硅藻土多孔导电材料制备及表征

杜玉成 , 颜晶 , 孟琪 , 李扬 , 戴洪兴

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2011.01031

以硅藻土为基核采用共沉淀法, 制备Sb-SnO2包覆前驱体, 通过焙烧制备了多孔结构导电复合材料. Sb-SnO2包覆率影响产物导电性、焙烧温度影响Sb-SnO2晶胞参数和晶粒大小, 进而影响产物导阻率. 采用XRD、SEM、TEM、...

关键词: 硅藻土 , porous structure , Sb-SnO2 coating , conductivity , resistivity

组成和结构对连续SiC纤维电阻率的影响

王得印 , 宋永才 , 简科

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2012.00162

通过烧成制备了电阻率量级大小不同的三种连续SiC纤维, 对纤维的元素组成、结晶性能和表面结构进行了分析. 结果表明: 通过调整不熔化及烧成工艺参数可以获得电阻率量级不同的连续SiC纤维. 当纤维表层具有一定厚度的高富碳层结构时, 纤维的电阻率受整体自由碳含量与结晶性能的影响不再显著, 此时, 纤维将...

关键词: 聚碳硅烷 , silicon carbide fiber , excess carbon , specific resistivity

双组元掺杂钛硅再结晶石墨传导性能的研究

邱海鹏 , 宋永忠 , 史景利 , 翟更太 , 刘朗

无机材料学报

用煅烧石油焦作填料,煤沥青作粘结剂,钛粉和硅粉作添加剂,采用热压工艺制备了一系列双组元掺杂再结晶石墨.考察了不同质量配比的添加剂对再结晶石墨的热导率、电阻率和抗弯强度的影响以及微观结构的变化.实验结果表明,与相同工艺条件下制备的纯石墨材料相比较,掺杂15wt%钛粉再结晶石墨的传导以及力学性能有较大幅...

关键词: 热导率 , electrical resistivity , doped titanium and silicon , recrystallized graphite

Cu/X(X=Cr, Nb)纳米多层膜力/电学性能的尺度依赖性

张金钰张欣牛佳佳刘刚张国君孙军

金属学报 doi:10.3724/SP.J.1037.2011.00246

利用纳米压痕实验以及四探针法, 系统研究了相同层厚Cu/X(X=Cr, Nb)纳米金属多层膜的力学性能(强/硬度)和电学性能(电阻率)的尺度依赖性. 微观分析表明: Cu/X(多层膜调制结构清晰, Cu层沿{111}面择优生长, X

关键词: Cu/Cr , Cu/Nb , nanostructured multilayer , strength , resistivity , size effect

磁控溅射制备纳米TiO2薄膜导电性的研究

顾广瑞 , 李英爱 , 陶艳春 , 何志 , 赵永年

无机材料学报

研究了在纳米厚度范围内,TiO2薄膜的导电性与薄膜厚度和基底材料的关系.利用射频磁控溅射方法,使用高纯Ti(99.99%)靶,通入Ar和O2的混合气体,制备了TiO2薄膜,薄膜膜厚15~225nm.在室温下测量了不同厚度TiO

关键词: TiO2薄膜 , conductivity , resistivity , transfer of electrons

锰对改善 CaBi4Ti4O15高温压电陶瓷性能的研究

顾大国 , 李国荣 , 郑嘹赢 , 曾江涛 , 丁爱丽 , 殷庆瑞

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2008.00626

采用固相法制备了Mn改性的CaBi4Ti4O15(CBT+x mol% MnCO3)层状压电陶瓷. 介电温谱显示所有样品居里点在780℃附近, 并且发现该材料在110K处有一介电弛豫峰. Mn的...

关键词: 压电陶瓷 , Mn-modified , resistivity , CaBi4Ti4O15

硼磷共掺杂n型金刚石薄膜的Hall效应、红外光谱和EPR研究

胡晓君 , 李荣斌 , 沈荷生 , 戴永兵 , 何贤昶

无机材料学报

用离子注入方法,在CVD金刚石薄膜中共注入硼离子和磷离子,得到了电阻率较低的n型金刚石薄膜。Hall效应测试表明,800℃退火后,在注入的磷离子剂量相同的情况下,共注入硼的金刚石薄膜的载流子浓度与单一掺磷的相近,但Hall迁移率高,电阻率低。FTIR结果表明B-H结的形成钝化了硼的受主特性,使磷的施...

关键词: 金刚石薄膜 , co-doping , n-type , resistivity

正偏压对纳米金刚石薄膜结构和电阻率的影响

吴南春 , 夏义本 , 谭寿洪 , 刘健敏 , 苏青峰 , 王林军

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2007.00381

采用电子辅助热丝化学气相沉积工艺, 在1kPa反应气压和施加不同的偏流条件下, 沉积了纳米金刚石薄膜. 用X射线衍射, 场发射扫描电镜和半导体特性表征系统对该薄膜进行了表征和分析. 结果表明, 施加偏流可以使薄膜晶粒呈现明显的(110)晶面择优取向, 表面形貌发生较大变化. 当偏流为8A时, 薄膜晶...

关键词: 纳米金刚石薄膜 , preferential orientation , morphology , electrical properties

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