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Bi₂Sr₂CaCu₂O_8+δ薄膜的分子束外延法制备及结晶性

张炳森李茂林王晶晶孙本哲祁阳

金属学报

在BiO--(Sr+Ca)O--CuO相图上的Bi₂Sr₂CaCu₂O_8+δ(Bi--2212) 相附近选择不同成分, 用分子束外延法制备成薄膜, 利用XRD, EDS,SEM和AFM研究了成分、衬底温度和臭氧分压对Bi--2212相薄膜成相的影响, 分析了生长速率和错配度对Bi--2212相薄膜质量的影响. 结果表明, Bi--2212相薄膜单相生成的成分范围 (原子分数) 分别为Bi 26.3%---32.4%, (Sr+Ca)37.4%---46.5%, Cu 24.8%---32.6%; 当衬底温度为720℃且臭氧分压为1.3×10^-3 Pa时, 在MgO(100) 衬底上生长出质量较高的c轴外延Bi--2212相薄膜; 通过调整生长速率、更换衬底和插入不同厚度的Bi₂Sr₂CuO_6+δ过渡层的方法, 可以改善Bi--2212相薄膜的结晶质量、表面形貌和导电特性.

关键词: Bi₂Sr₂CaCu₂O_8+δ薄膜 , molecular beam epitaxy , substrate temperature , ozone partial pressure , growth rate , mismatch

衬底温度对Si(111)衬底上MBE异质外延3C-SiC薄膜的影响

刘金锋 , 刘忠良 , 武煜宇 , 徐彭寿 , 汤洪高

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2007.00720

利用固源分子束外延(SSMBE)技术, 在Si(111)衬底上异质外延生长3C-SiC单晶薄膜, 通过RHEED、XRD、AFM、XPS等实验方法研究了衬底温度对薄膜结构、形貌和化学组分的影响. 研究结果表明, 1000℃生长的样品具有好的结晶质量和单晶性. 在更高的衬底温度下生长, 会导致大的孔洞形成, 衬底和薄膜间大的热失配使降温过程中薄膜内形成更多位错, 从而使晶体质量变差. 在低衬底温度下生长, 由于偏离理想的化学配比也会导致薄膜的晶体质量降低.

关键词: 碳化硅薄膜 , Si substrate , solid source molecular beam epitaxy , substrate temperature

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