金冲
,
张卫国
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姚素薇
,
王宏智
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2012.00054
通过阳极氧化法在钛箔上制备了TiO2纳米管阵列, 在不同热处理工艺下使其晶化. 利用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD)对TiO2纳米管阵列的形貌和结构进行了表征. 结果表明, 阳极氧化法制备的TiO2纳米管经450~750℃热处理后为纳米晶结构, 平均晶粒尺寸随退火温度升高而增大, 相同温度下氮气气氛中热处理的TiO2平均晶粒尺寸小于空气气氛中热处理的TiO2. 氮气气氛下退火可拓宽TiO2由锐钛矿型(Anatase)向金红石型(Rutile)结构转变的热处理温度范围, 650℃以上退火处理后, TiO2纳米管中掺杂有少量的氮. 光照开路电位测试和稳态极化曲线测试结果表明, 在氮气气氛中、经650℃退火处理2 h制备的TiO2纳米管阵列电极光电响应性能最佳, 此时TiO2为锐钛矿型和金红石型的混晶结构.
关键词:
TiO2纳米管
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anneal
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crystal structure
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photoelectric response
孟佳
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赵丽丽
,
吴洁华
,
宋力昕
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2010.00952
采用高温固相烧结法制备了CsBr:Eu2+粉体, 系统研究了退火处理后粉体的光激励发光谱、吸收差谱和光激励发光衰减时间等, 发现退火处理能有效提高CsBr:Eu2+粉体光激励发光强度, 缩短其发光衰减时间. 重点分析了退火气氛与光激励发光性能之间的关系, 实验结果表明, 退火气氛中的氧取代溴离子Br-成为替位氧离子Os-, 而氢原子将进入间隙位成为间隙氢原子Hi0. 替位氧离子Os-以及Hi0和H2i0都是有效的电子俘获中心, 并且它们与空穴俘获中心的形成密切相关.
关键词:
CsBr:Eu2+
,
photostimulated luminescence
,
anneal
,
electron/hole trap center
李明
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蒋志红
,
沈德芳
无机材料学报
本文用直流磁控溅射方法制备了Co／Pt多层膜，并对其进行了较为细致的真空退火处理，结果表明，适度的低温退火可增加Co／Pt多层膜的矫顽力，而并不削弱其磁滞克尔回线的矩形特征．当退火温度达到300℃以后，Co／Pt多层膜的矫顽力、垂直各向异性和克尔角将强烈下降，晶体结构的改善及应力的释放、晶粒的增长、层间原子扩散引起的Co层有效厚度减薄，进而居里温度的下降，分别是Co／Pt多层膜在低温、中温、高温退火过程中，磁及磁光性能变化的主要机制．
关键词:
磁光薄膜
,
null
,
null
,
null
宋平新
,
赵志伟
,
徐晓东
,
邓佩珍
,
徐军
无机材料学报
采用提拉法(CZ)生长了质量优异的Tm:YAG晶体.部分晶片在1000℃的空气气氛中退火25h.借助光学显微镜、扫描电子显微镜(SEM),结合化学腐蚀法,对Tm:YAG晶体退火前后(111)面的缺陷特征进行了研究. Tm:YAG晶体(111)面的位错腐蚀坑呈三角形. 在偏光显微镜下观察了退火前后Tm:YAG晶体(111)面的应力双折射.同时应用高分辨X射线衍射法测定了晶体的完整性.实验结果表明,长时间空气气氛下高温退火有效降低了晶体中总的位错密度,提高了晶体质量.
关键词:
Tm:YAG晶体
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chemical etch
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dislocation
,
annealing
杜刚杨文闫德胜戎利建
金属学报
doi:10.3724/SP.J.1037.2010.00645
采用透射电镜、电子探针、拉伸和硬度测试等方法对铸态Al-6Mg-0.2Sc-0.15Zr(质量分数, %)合金在等温退火过程中的硬化行为进行了研究. 结果表明, 退火过程中Mg分布的变化对合金强度影响不大,细小、弥散的Al3(Sc, Zr)沉淀相的析出产生了显著的沉淀强化作用.合金在300 ℃下退火, Al3(Sc, Zr)沉淀相粗化速率较慢,经过24 h处理后其直径为5 nm, 合金屈服强度相对退火前提高约90 MPa;随着退火温度的升高, Al3(Sc, Zr)相在退火过程中发生不同程度的粗化.450 ℃/24 h处理后沉淀相直径增大至约30 nm, Al3(Sc, Zr)相引起的沉淀强化作用下降至30 MPa. 铸态Al-6Mg-0.2Sc-0.15Zr合金经过 300 ℃/3 h退火处理后可获得最大的沉淀强化效果.
关键词:
Al-Mg-Sc-Zr合金
,
annealing
,
precipitation strengthening
,
microstructure
陈乃波
,
吴惠桢
,
徐天宁
,
余萍
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2006.00993
在蓝宝石(0001)衬底上低温生长立方相MgxZn1-xO(x>0.5)晶体薄膜, 用X射线衍射(XRD)和透射光谱分析高温退火对薄膜的结构和光学性质的影响. 结果表明: 对Mg0.53Zn0.47O薄膜, 在900℃的退火温度下, (0002)衍射峰以及透射光谱上双吸收边的出现均表明有六方结构从其立方结构中分离出来；但对于Mg含量高于55%的样品, 即使经历了1000℃的高温退火, 也不会有任何相分裂现象出现. 而电学测试结果表明, 高温下热稳定性良好的立方相Mg0.55Zn0.45O晶体薄膜还能用于金属-绝缘体-半导体的绝缘层, 并且漏电流小. 由此可以判断, x≥0.55的超饱和MgxZn1-xO薄膜具有稳定的立方相晶体结构和优良的光学、电学性质, 因而是制作高质量的光电子器件和量子阱激光器的理想材料.
关键词:
立方相MgxZn1-xO薄膜
,
anneal
,
crystal structure
,
optical property
,
electrical property
唐瑞鹤杨志刚张弛杨白刘晓芳于荣海
金属学报
doi:10.3724/SP.J.1037.2010.00546
采用磁控溅射法在硅基片上制备了Co原子分数为13.0%的Co-C纳米复合薄膜. 在真空条件下, 对薄膜进行退火处理, 退火温度从 473 K逐步提高至773 K, 保温时间30 min. 形貌观察表明, 未经退火处理的薄膜中, Co颗粒均匀分布在非晶C基体中, Co颗粒尺寸为1.5-3.0 nm; 673 K退火后, Co颗粒尺寸增大. 磁性能测试表明, 未经退火处理的薄膜磁性较弱, 随着退火温度升高, 薄膜的磁化强度和矫顽力均明显增大; 当退火温度增加至673-773 K时, 薄膜呈现出低温铁磁性、室温超顺磁性的典型颗粒体系磁性特征. 磁输运特性研究表明, 未经退火处理的薄膜在温度为4.2 K, 磁场为3980 kA/m时表现出1.33%的负磁电阻, 随着退火温度升高, 样品磁电阻值下降; 电阻与温度关系在4.2-60 K范围内符合lnR-T-1/4线性关系, 磁输运遵循变程跳跃 (variable range hopping)传导机制.
关键词:
Co-C纳米复合薄膜
,
annealing
,
microstructure
,
magnetotransport property
,
magnetic property
王冠峰
,
张宝峰
,
张洪娥
,
董晓慧
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2007.01178
采用溶胶-凝胶自燃法制备了MnxZn 1-x Cu 0.2 Fe 1.8 O 4 (x=0.5, 0.6, 0.7, 0.8, 0.9)的粉末样品, 并对样品在空气中500℃退火4h. XRD分析表明, 所有的样品都具有单相尖晶石结构, 不同Mn含量样品的平均颗粒尺寸在30～40nm之间. XPS表明: 退火前后, 样品中大部分Mn以Mn 3+ 形式存在; 而Fe则在退火前以Fe 2+和Fe 3+ 混合价态存在, 退火后以Fe 3+ 形式存在. 退火使表层的Mn和Fe所占的百分比都增大. 用VSM常温下磁性的测量, 发现退火样品的矫顽力(HC) 随Mn含量的增加陡峭地增大. 未退火样品的MS随颗粒中Mn含量的增加先增大后减小, x=0.8的样品有最大的MS. 退火对不同Mn含量样品的MS影响不同.
关键词:
溶胶-凝胶自燃法
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Mn-Zn-Cu ferrite
,
nanoparticles
,
annealing
