冯亚军
,
徐卓
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李振荣
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张麟
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姚熹
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2006.01127
(1-x)BiScO3-xPbTiO3陶瓷(简记BS-PT)在x=64.0%附近存在一个从菱方晶系过渡到四方晶系的准同型相界, 在此相界附近材料能获得优良的介电和压电性能. 本文选取PbTiO3含量在64.0%~65.5%的准同型相界附近的材料组分, 利用传统的固相烧结反应法合成了纯钙钛矿相结构的BS-PT陶瓷, 通过对材料的相结构形成过程和内部形貌分析以及对介电、压电性能的研究, 发现在x=64.%的组分条件下, BS-PT陶瓷材料获得了准同型相界范围内的最优的压电性能, 其室温压电常数d33可达500pC/N, 且居里温度(Tc)达到了438℃, 剩余极化强度和电致应变分别为44uC/cm2和3.5‰. 研究表明, 准同型相界附近的BS-PT陶瓷是一种优良的压电换能器和传感器材料.
关键词:
BS-PT
,
morphotropic phase boundary
,
high Curie temperature
,
piezoelectric ceramics
李燕燕
,
李国荣
,
王天宝
,
郑嘹赢
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冷森林
,
殷庆瑞
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2009.00374
采用固相反应法制备了施主掺杂浓度不同的Nb2O5（分别为0.1mol%、 0.3mol%、 0.5mol%、 0.7mol%）掺杂(Ba, Bi,Na)TiO3基PTCR陶瓷. 对其微观结构及电性能进行研究发现：随着Nb2O5掺杂浓度的增加，陶瓷晶粒尺寸先变大后变小，室温电阻率也随之先减小后增大，说明Nb2O5的掺杂量存在一个临界施主掺杂浓度. 当Nb2O5施主掺杂量为临界施主掺杂浓度0.5mol%时，获得了居里温度Tc为 183℃、室温电阻率ρ为1.06×103Ω·cm、升阻比ρmax/ρmin为1.0×104的高温无铅PTCR陶瓷. 通过交流复阻抗谱分析，探讨了Nb2O5施主掺杂在该PTCR陶瓷中的作用机理.
关键词:
PTCR
,
lead-free
,
high curie temperature
,
(Bi1/2Na1/2) TiO3
