刘国平
,
凌晨
,
樊立峰
,
付兵
,
项利
,
仇圣桃
钢铁研究
doi:10.13228/j.boyuan.issn1001-0963.20130424
利用理论计算方法系统地计算和分析了取向硅钢中AlN在不同的形核机制下的析出动力学特征,如临界形核半径、临界形核功、相对形核率以及时间-温度-析出(TTP)曲线.计算结果显示,AlN在均匀形核、晶界形核或位错形核时临界形核尺寸不变.晶界形核时,AlN的临界形核功最小,相对形核率最大,AlN沉淀析出TTP曲线鼻子点温度为1 020℃,AlN沉淀析出的形核机制主要为晶界形核.
关键词:
取向硅钢
,
AlN
,
临界形核尺寸
,
临界形核功
,
相对形核率
,
TTP曲线
卢钦
,
左然
,
刘鹏
,
童玉珍
,
张国义
人工晶体学报
针对垂直转盘式MOCVD反应器生长AlN的化学反应-输运过程进行数值模拟研究,特别探讨了反应室高度、操作压强和加合物衍生的三聚物对AlN生长的化学反应路径的影响.研究结果表明,AlN在MOCVD生长中以Al(CH3)3和NH3的加合路径为主,Al(CH3)3的热解路径很弱;加合路径衍生的二聚物是薄膜生长的主要前体,三聚物是纳米粒子的主要前体;降低反应室高度,寄生反应减弱,热解路径加强,使生长速率增大;增大压强,寄生反应加剧,使生长速率下降;添加由三聚物参加的表面反应后,生长速率提高了近4倍,证明三聚物不参加薄膜生长,只是提供纳米粒子前体.
关键词:
MOCVD
,
化学反应
,
AlN
,
数值模拟
