叶帅
,
索红莉
,
吴紫平
,
刘敏
,
徐燕
,
马麟
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2011.00765
采用低氟的金属有机盐沉积技术(MOD)在LAO单晶上制备了Gd和Zr掺杂的YBCO薄膜, 并分析了不同掺杂对YBCO薄膜在外加磁场下的Jc的影响. 研究发现, 采用Gd部分取代YBCO薄膜中的Y元素, 可以有效地提高YBCO薄膜高场下的Jc值, 但对于低场下的Jc值影响不大; 而采用过量Gd掺杂YBCO薄膜, 可以有效地提高YBCO薄膜在低场下的Jc值, 但对于高场下的Jc值影响不大. 而Zr掺杂可以有效地提高YBCO薄膜在低场和高场下的Jc值. 最后, 结合Gd取代和Zr掺杂两种方式, 有效地提高了YBCO薄膜的场性能, 其最大钉扎力(Fp(Max))达到了16GN/m3, 比纯的YBCO薄膜(4.0 GN/m3)提高了约3倍; 在磁场为3T和7T下, 其Jc值分别为1.31MA/cm2和87.7kA/cm2.
关键词:
MOD
,
Gd substitution
,
Zr dopping
,
YBCO film
