张兴旺
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陈光华
材料研究学报
在双靶射频溅射系统中,以氢气为工作气体,交替溅射高纯Ge和SiO2,制备出了非晶态Ge/SiO2超晶格.小角度X射线衍射分析结果表明样品具有良好的周期性和界面平整性.其光学带降Eopt由红外透射、反射谱确定.当锗势阱层厚度从0.38nm减小到0.12nm时,超晶格光学带欧发生约0.3eV的游移.
关键词:
超晶格
,
α-Ge/SiO_2
,
RF sputtering
黄银松
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章俞之
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胡行方
无机材料学报
采用射频反应溅射法成功地制备了非晶态氧化铌薄膜,研究了它们的电致变色性能．这些薄膜在漂白态透明无色,而着色态则为灰褐色．循环伏安测试结果表明该薄膜具有良好的稳定性和很好的锂离子注入/抽出性能．５５０ｎｍ处的着色效率为１６．６８ｃｍ２/Ｃ,在可见光区透过率调制幅度为２０%~３０%．结合Ｘ光电子能谱(ＸＰＳ)分析可以认为氧化铌薄膜的电致变色现象是由于锂离子和电子的共同注入与抽出,导致薄膜中的铌离子发生ＮｂＶ和ＮｂＩＶ间的可逆氧化、还原反应引起的．
关键词:
氧化铌薄膜
,
RF sputtering
,
electrochromism
