杨坤
,
杨筠
,
林志明
,
李江涛
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2007.00263
以硅粉和碳黑为初始原料, 通过机械活化和化学活化预处理, 实现了Si-C体系在较低温度下燃烧合成SiC. 采用XRD、SEM和EDS等手段, 分析了合成产物的相组成和微观结构特征. 结果表明: 机械活化预处理可使燃烧反应诱发温度降低至1050℃, 合成SiC粉体的比表面积为4.36 m2/g, 平均粒径<5μm.
关键词:
机械活化
,
combustion synthesis
,
promoter
,
SiC
薛金根
,
王应德
,
宋永才
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2007.00681
通过粘度、凝胶含量和XRD等手段研究了聚碳硅烷(PCS)纺丝原液的干法纺丝性能和干纺PCS纤维的自交联过程, 并对所制得的低氧含量SiC纤维的组成、结构和性能进行了表征. 结果表明, PCS/二甲苯纺丝原液的最佳纺丝粘度范围在18.0～22.0Pa·s; 干纺PCS纤维在烧成温度超过250℃后开始发生自交联反应, 在烧成温度超过550℃后, 干纺PCS纤维完全交联形成了“不熔不溶”的网状结构; 干法纺丝法制备得到的SiC纤维与空气不熔化法制得的SiC纤维相比, 氧含量大幅降低, 仅在3.6wt%左右, 结晶度较高, 其耐高温抗氧化性也有明显的改善.
关键词:
干法纺丝
,
polycarbosilane
,
SiC
,
fiber
杨鑫
,
邹艳红
,
黄启忠
,
苏哲安
,
王秀飞
,
张明瑜
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2008.00779
采用化学气相反应法和料浆刷涂反应法, 在C/C复合材料表面制备了MoSi2-Mo5Si3/SiC复合涂层, 借助X射线衍射仪、扫描电镜及能谱等分析手段, 对涂层的形成、组织结构进行了研究, 并初步考察了涂层的高温抗氧化性能. 结果表明: 制备的复合涂层厚度为400μm左右, 主要由β-SiC、MoSi2及少量的Mo5Si3组成. 1350℃等温氧化10h后, 复合涂层试样的氧化失重率只有1.21%, 明显低于C/C复合材料SiC单涂层试样, 其高温抗氧化性能得到明显的提高. 因此, 与C/C复合材料SiC单涂层相比, 经封填改性制得的复合涂层结构更致密, 具有良好的高温抗氧化性能.
关键词:
C/C复合材料
,
anti-oxidation coating
,
MoSi2
,
SiC
刘岩
,
黄政仁
,
刘学建
,
袁明
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2009.00817
采用四元Ag-Cu-In-Ti焊料成功地连接了常压烧结SiC陶瓷. 研究了钎焊温度和保温时间对碳化硅连接强度的影响, 同时通过EPMA和TEM分析连接界面的微观结构, 并且探讨了连接的原理. 试验结果表明, 在700～780℃试验温度范围内, 碳化硅的连接强度存在峰值, 最高四点弯曲强度达到了234MPa, 但是连接强度随着保温时间的增加呈现单调下降趋势. 接头微观结构由基体SiC、反应层和焊料三部分组成, 连续致密的反应层紧密连接基体和焊料, 反应层由带状层、TiC层和Ti5Si3层组成, 带状层宽度约20nm, 由Ag、In、Si和少量的Ti、Cu组成. 元素线扫描结果显示焊料中的活性元素Ti含量在反应层内形成峰值, 活性元素Ti与SiC发生反应生成新的反应层是连接的主要因素.
关键词:
Ag-Cu-In-Ti
,
SiC
,
joining strength
,
interface structure
张长瑞
,
刘荣军
,
曹英斌
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2007.00153
以MTS为先驱体原料, 在950～1300℃、负压条件下沉积了CVD SiC涂层. 利用SEM对涂
层的表面形貌和断口特征进行了表征. 沉积温度和SiC涂层表面形貌的关系如下: 950℃时, 沉积的SiC颗粒非常细小, 为独立的球形堆积; 1000～1100℃时, CVD SiC涂层表面光滑、致密; 1150～1300℃沉积的SiC涂层呈现出球状或瘤状结构且表面粗糙. 结合热力学和晶体形核-长大理论, 研究了沉积温度对SiC涂层表面形貌的作用机制. 沉积温度和SiC涂层断口形貌的关系如下: 1200℃以下沉积的SiC涂层断面致密、无孔洞; 而1300℃沉积的SiC涂层断面非常疏松. 利用岛状生长模型揭示了SiC涂层内部显微结构的形成机理.
关键词:
化学气相沉积
,
SiC
,
temperature
,
coatings
,
microstructure
杨鑫
,
黄启忠
,
常新
,
苏哲安
,
张明瑜
,
周乐平
,
金谷音
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2010.00041
采用锆英砂包埋法, 在石墨表面制备了ZrC-SiC复合涂层, 利用X射线衍射仪、扫描电镜及能谱等分析手段, 研究了涂层的形貌和结构, 并通过热力学计算分析了复合涂层的形成过程. 结果表明：复合涂层主要由ZrC和SiC相组成, 局部存在SiC晶粒. 由内向外, 复合涂层形成了明显的双层结构, 且主要由SiC富集内层和ZrC外层组成, 热力学计算结果表明, 包埋过程中各还原产物生成温度段的不同是复合涂层形成双层结构的主要原因, 由于包埋过程中形成的中间相液Zr能流动封填涂层中存在的裂纹孔洞等缺陷, 故反应后能制得致密的ZrC-SiC复合涂层.
关键词:
石墨
,
anti-oxidation coating
,
ZrC
,
SiC
邹桂真
,
曹茂盛
,
张亮
,
金海波宿辉
,
王正平
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2006.00797
摘要: 采用简单的化学镀方法, 在相对低的温度下制备了具有核-壳结构的SiC-Ni纳米复合颗粒. XRD和TEM分析结果表明,纳米Ni晶吸附在SiC颗粒表面, 可以形成一层连续且致密的Ni包覆层. 基于化学镀和催化理论, 初步分析了化学镀核壳结构形成机理. 利用波导法研究了纳米SiC颗粒和复合颗粒在8～12GHz的微波介电特性. 研究结果表明, 复合颗粒的介电常数实部(ε')和介电损耗角正切值(tanδ=ε''/ε')都明显增强, 并给出相应的理论模型.
关键词:
化学镀
,
SiC
,
core-shell structure of silicon carbide and nickel
,
dielectric property
马宗义
,
宁小光
,
潘进
,
李吉红
,
吕毓雄
,
毕敬
金属学报
采用粉末冶金法在较高的温度下制备了ＳｉＣ，Ｓｉ_３Ｎ_４和Ａｌ_（１８）Ｂ_４Ｏ_（３３）晶须增强Ａｌ－８．５Ｆｅ－１．３Ｖ－１．７Ｓｉ耐热铝合金复合材料，山于采用不含Ｍｇ的基体避免了Ａｌ_（１８）Ｂ_４Ｏ_（３３）晶须界面上出现界面反应和Ｓｉ_３Ｎ_４，ＳｉＣ晶须界面上出现的界面生成物，所以所有晶须界面都是清洁的．加入晶须可以明显提高材料的强度和模量，三种晶须的增强效果依次为ＳｉＣ，Ｓｉ_３Ｎ_４和Ａｌ_（１８）Ｂ_４Ｏ_（３３）．这类复合材料的强度随温度的升高呈线性下降，其使用温度可比ＳｉＣ_ｗ／２０２４Ａｌ复合材料提高５０－１００℃
关键词:
复合材料
,
Al
,
whisker
,
SiC
,
Si_3N_4
,
Al_(18)B_4O_(33)
刘忠良
,
任鹏
,
刘金锋
,
徐彭寿
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2008.00549
利用固源分子束外延(SSMBE)生长技术, 在不同的硅碳蒸发速率比(Si/C)条件下, 在Si(111)衬底上生长SiC单晶薄膜. 利用反射式高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和傅立叶变换红外光谱(FTIR)等实验技术, 对生长的样品形貌和结构进行了研究. 结果表明, 在Si/C比(1.1:1.0)下生长的薄膜样品, XRDω扫描得到半高宽为2.1°; RHEED结果表明薄膜具有微弱的衍射环, 有孪晶斑点. 在Si/C比(2.3:1.0)下生长的薄膜, XRDω扫描得到的半高宽为1.5°, RHEED显示具有Si的斑点和SiC的孪晶斑点. AFM显示在这两个Si/C比下生长的样品表面都有孔洞或者凹坑, 表面比较粗糙. 从红外光谱得出
薄膜存在着比较大的应力. 但在Si/C比(1.5:1.0)下生长的薄膜样品, XRDω 扫描得到的半高宽仅为1.1°; RHEED显示出清晰的SiC的衍射条纹, 并可看到SiC的3×3表面重构, 无孪晶斑点; AFM图像表明, 没有明显的空洞, 表面比较平整. FTIR谱的位置显示, 在此Si/C比下生长的薄膜内应力比较小. 因此可以认为, 存在着一个优化的Si/C比(1.5:1.0), 在这个Si/C比下, 生长的薄膜质量较好.
关键词:
硅碳比
,
SiC
,
Si substrate
,
solid source molecular beam epitaxy
