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掺杂SiO2对FeCo纳米晶磁粉电磁性能的影响

庞永强程海峰唐耿平邢欣

材料研究学报

用高能球磨法制备了掺杂SiO2的FeCo纳米晶磁粉, 用SEM、XRD等分析手段对纳米晶磁粉进行结构分析, 研究了掺杂SiO2对FeCo纳米晶磁粉/石蜡复合物复介电常数和复磁导率的影响. 结果表明, 杂质SiO2主要以非晶态的形式存在于FeCo纳米晶颗粒中; 与未掺杂SiO2的FeCo纳米晶磁粉相比, 在复磁导率变化很小的情况下, 掺杂适量的SiO2可显著降低纳米晶磁粉/石蜡复合物的复介电常数, 可较好的解决吸波涂层设计中的阻抗匹配问题.

关键词: 金属材料 , nanocrystlline magnetic powders , SiO2 , complex permittivity ,  com-plex permeability

H2O2处理H4SiW12O40/SiO2光催化降解有机染料的研究

周国辉 , 杨志远 , 杨赟 , 冯传启 , 杨水金

稀有金属 doi:10.13373/j.cnki.cjrm.2014.06.022

采用溶胶-凝胶法将Keggin型H4SiW12O40负载在SiO2上,并用30%H2O2溶液对其进行敏化,制得H4SiW12O40/SiO2/H2O2光催化剂,分别利用傅里叶变换红外光谱仪(FT-IR)、X射线衍射(XRD)对该光催化剂进行表征分析,结果表明H4SiW12O40高度分散在SiO2上,并且经过H2O2溶液处理的光催化剂在935.2 cm-1出现了一个较弱的过氧基吸收峰,这与过氧多酸化合物的吸收峰较一致.另外,进行甲基橙模拟废水溶液在黑暗条件下的吸附-脱附平衡实验,结果表明在30 min达到吸附-脱附平衡,故优化组实验选择在黑暗下搅拌30 min以达到吸附-脱附平衡.接着对甲基橙的初始浓度、溶液pH以及催化剂用量进行优化.实验发现,在甲基橙初始浓度为15 mg·L-1,溶液pH为1.0,催化剂的用量为6 g·L-1的优化情况下,光降解3.0h,甲基橙的降解率达到99.0%,H4SiW12O40/SiO2/H2O2光催化降解甲基橙溶液的过程符合一级动力学反应规律;且H4SiW12O40/SiO2/H2O2对甲基紫、孔雀石绿、亚甲基蓝、罗丹明B和甲基红均具有较高的光催化活性,降解率达87.5%~ 100.0%.

关键词: 硅钨酸 , 甲基橙 , SiO2 , 光催化 , 降解

氧化物杂质对Al2O3陶瓷力学性能与抗蠕变性的影响

卞杰 , 陈涵 , 戴海璐 , 郭露村

硅酸盐通报

采用无压烧结成型工艺,研究了氧化物杂质(碱金属、碱土金属氧化物及SiO2)对Al2O3陶瓷力学性能与抗蠕变性的影响,并利用扫描电子显微镜以及万能试验机表征样品的微观结构和力学性能;提出一种恒压试样的方法评价材料的蠕变性,测试恒压后标准试样的弯曲程度.结果表明:氧化物杂质对Al2O3陶瓷常温力学性能和高温蠕变性影响存在很大差异,常温力学性能方面,除MgO外,所研究的其它氧化物杂质均使材料抗弯强度和断裂韧性有不同程度降低,而MgO能明显提高陶瓷力学性能;另一方面,高温蠕变性受氧化物杂质影响则表现相反,MgO会导致材料抗蠕变性下降,其它氧化物杂质或多或少地提高抗蠕变性能,其中含量为1 mol% SiO2的Al2O3陶瓷抗蠕变性能明显提高.

关键词: 氧化铝 , 碱金属 , 碱土金属 , SiO2 , 抗蠕变性

多功能太阳电池减反膜研究进展

徐娟 , 刘永生 , 雷伟 , 杜文龙 , 司晓东 , 郭保智 , 高湉 , 林佳

硅酸盐通报

减反膜(ARCs)能减少太阳电池表面反射,提高电池效率,近年来得到了极大的关注.光伏器件常应用于户外环境,因此ARCs不仅要具有基本的减反射性能,还应具有自清洁性、耐磨损和耐久性等更多实际应用能力.本文概括了减反膜的基本原理,介绍了一些常用ARCs材料(SiO2、TiO2、SiNx等)和制备ARCs的方法,总结了目前的一些研究成果.最后,讨论了ARCs未来的发展趋势及挑战.

关键词: 减反膜 , SiO2 , TiO2 , 溶胶凝胶法 , 自清洁

氧化结合法制备多孔碳化硅陶瓷及其特性

白成英 , 苏魁范 , 邓湘云 , 李建保 , 王春鹏 , 景亚妮

硅酸盐通报

以不同粒径碳化硅为骨料,羧甲基纤维素钠(CMC)为粘结剂,在大气中利用碳化硅颗粒表面氧化成的SiO2粘接在一起低温合成多孔碳化硅陶瓷.分析了粒径大小、烧结温度、成型压力对氧化结合多孔碳化硅陶瓷特性的影响.用TG-DSC、XRD、SEM研究了碳化硅陶瓷的氧化性能,物相组成,微观形貌.结果表明:原始粒径越小,碳化硅陶瓷的活性越高,相应的氧化程度越高,在1μm时氧化率最高达到49.58%,但其在1000℃保温100 h质量增重也最高达7.53%;随着烧结温度升高,碳化硅氧化率增加,气孔率相应地降低;成型压力也对碳化硅陶瓷的氧化率,气孔率产生一定影响.

关键词: 碳化硅 , 多孔陶瓷 , 氧化结合法 , 氧化率 , 二氧化硅 , 气孔率

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