李波
,
张树人
,
周晓华
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2007.00706
研究了V2O5掺杂BaTiO3-Y2O3-MgO系陶瓷的显微结构和介电性能. SEM显示V2O5会促进该体系晶粒生长, 降低陶瓷致密度. XRD显示V掺杂样品均为单一赝立方相, 其固溶度>1.0mol%. 研究表明, V离子能有效抑制掺杂离子Y、Mg向BaTiO3晶粒内扩散, 改变掺杂离子在晶粒中分布,
从而形成薄壳层的壳芯晶粒, 因此V能提高居里峰的强度并改善电容温度稳定性. 多价V离子在还原气氛中以+3、+4为主, 能增强瓷料的抗还原性, 提高绝缘电阻率(1013Ω·cm)、降低介电损耗(0.63%). 该体系掺杂0.1mol%V时, 介电常数达到2600, 满足X8R标准.
关键词:
钛酸钡
,
V2O5
,
microstructure
,
dielectric properties
,
multilayer ceramic capacitor
朱丁
,
刘恒
,
姚亚东
,
李大成
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2008.00043
以自制的二乙酰丙酮氧钒(VO(aca)2)为原料, 通过软模板法组装出聚乙烯吡咯烷酮(PVP)/钒前驱体核壳结构的复合微球. 对复合微球进行热处理后制备得φ(0.5～1.0)μm五氧化二钒(V2O5) 中空微球. 分别采用扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)和X射线衍射仪(XRD)对最终产物的球形外观、中空结构和物相组成进行了表征, 结合VO(acac)2、溶解于乙二醇的PVP、溶解于乙二醇的VO(acac)2与复合微球的红外光谱(FTIR)和复合微球的差热曲线(DTA), 探讨了V2O5中空微球形成的机理. 对影响实验的因素如PVP和VO(acac)2的浓度、保温时间等进行了研究. 结果表明: 通过严格控制PVP和VO(acac)2的浓度能够确保V2O5球壳结构的形成; 当总反应时间在75～90min范围内时, 所得空心球的几何外形和表面形貌均较为理想.
关键词:
模板自组装
,
PVP/vanadium precursor composite microspheres
,
V2O5
,
hollow microspheres
卞建江
,
赵梅瑜
,
殷之文
无机材料学报
本工作就添加V2O5对Ba（Mg1／3Ta2／3）O3烧结性及微波介电性能的影响进行了研究和讨论．实验结果发现，添加少量V2O5能明显改善BMT陶瓷的烧结性，当V2O5的添加量为0．1mol％时，烧结体密度可达理论密度的98％同时较纯BMT陶瓷烧结温度降低150℃左右．此时样品仍具有较高的微波介电性能：Q·f＝62450GHz；εγ＝25．
关键词:
BMT
,
addition
,
V2O5
,
sinterability
付自碧
,
郑诗礼
,
孙朝晖
钢铁钒钛
doi:10.7513/j.issn.1004-7638.2015.01.001
以钒渣钙化焙烧熟料为原料,采用碳酸氢钠浸出—碳酸(氢)铵沉钒工艺进行了制备V2O5的试验.重点研究了浸出温度、浸出时间、浸出剂浓度、液固比对浸出效果的影响和浸出液净化、沉钒的工艺条件.研究结果表明,钙化熟料在浸出温度95℃、浸出时间120 min、碳酸氢钠浓度15.8％、液固比3∶1～4∶1的工艺条件下浸出,获得的钒转浸率≥92％;浸出液按wAl/wsi=0.6～0.8加入偏铝酸钠除硅和碳酸(氢)铵沉淀偏钒酸铵,煅烧获得的五氧化二钒纯度为99.87％,其它各项指标均满足YB/T 5304-2011标准要求.
关键词:
钒渣
,
钙化焙烧
,
熟料
,
碳酸氢钠
,
浸出
,
钒转浸率
,
五氧化二钒
吴广明
,
吴永刚
,
倪星元
,
周箴
,
张慧琴
,
金哲民
,
吴翔
无机材料学报
本文采用真空蒸发制备了V2O5薄膜，用电化学方法从Li离子电解质中向V2O5薄膜注入Li离子.研究了V2O5薄膜中Li离于储存特性、注入／退出可逆性以及电荷注入对其光学性能的影响．实验结果表明，V2O5薄膜具有较好的Li离子储存特性和注入／退出可逆性，Li离子的注入量受到膜中V5+的含量以及锂离子可占据的总位置数限制，而且离子注入后V2O5薄膜的光学性能变化较小．
关键词:
薄膜
,
null
,
null
,
null
