材料期刊网

钇改性PZT薄膜的极化印刻研究

仇萍荪 , 罗维根 , 丁爱丽

无机材料学报

铁电ＰＺＴ薄膜的极化印刻（ｉｍｐｒｉｎｔｉｎｇ）是ＰＺＴ不挥发存储器失效的重要原因之一．本文研究了不同钇量改性的ＰＺＴ（４０／６０）铁电薄膜在高温（１２０℃）和偏置电压下的极化印刻特性，发现适量的钇掺杂，改善了ＰＺＴ薄膜电容器单元的极化印刻．

关键词: 铁电薄膜 , Y-dopped PZT（40/60） thin films , imprinting