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金属钨纳米线阵列的制备

用气相方法在较低的温度(900℃)下在单晶硅基片表面制备出金属钨的单晶纳米线阵列, 用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和X--ray衍射(XRD)等手段对其进行了分析和表征.结果表明: 在900℃制备的阵列单晶钨纳米线沿<111>方向生长,具有bcc结构, 直径约为150 nm, 长度为10--30 μm.

关键词: 金属材料 , metallic tungsten , single-crystal , nanowire , array

阳极氧化法制备TiO₂纳米管阵列及其光电性能研究

李贺 , 姚素薇 , 张卫国 , 王宏智 , 贲宇恒

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2007.00349

采用阳极氧化法在钛片上制备了TiO₂纳米管阵列光电极, 利用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD) 对TiO₂纳米管的形貌和结构进行了表征, 详细考察了氧化工艺参数对纳米管阵列形貌的影响, 并通过稳态光电响应技术对TiO₂纳米管电极的光电化学性能进行了研究. 结果表明, 在1wt HF电解液中, 控制氧化电压为20V, 反应30min后, 在Ti表面获得了垂直导向的TiO₂纳米管阵列, 孔径约为90nm, 管壁厚度约为10nm. 经600℃退火处理后, TiO₂纳米管阵列为锐钛矿型与金红石型的混晶结构, 此时电极的光电性能最佳, 与TiO₂纳米多孔膜电极相比, 光电性能大幅提高.

关键词: 阳极氧化 , TiO2 nanotubes , array , photoelectrochemistry