刘爱萍朱嘉琦唐为华李超荣
金属学报
doi:10.3724/SP.J.1037.2009.00538
采用过滤阴极真空电弧技术以PH3为掺杂源, 施加0-200 V基底负偏压, 制备了掺磷四面体非晶碳(ta-C∶P)薄膜. 利用X射线光电子能谱(XPS)和Raman光谱研究ta-C∶P薄膜的微观结构,通过测定变温电导率和电流-电压曲线, 考察ta-C∶P薄膜的导电行为. 结果表明, 磷掺入增加了薄膜中sp2杂化碳原子含量和定域电子π/π*态的数量, 提高了薄膜的导电能力, 且以-80 V得到的ta-C∶P薄膜导电 性能最好. 在293-573 K范围内ta-C∶P薄膜中的载流子表现出跳跃式传导和热激活传导两种导电机制. 电流--电压实验证明ta-C∶P薄膜为n型半导体材料.
关键词:
掺磷
,
tetrahedral amorphos carbon
,
substrate bias
,
electrical conductivity
,
conduction mechanism
韦长成
,
王华
,
许积文
,
张小文
,
杨玲
,
陈齐松
人工晶体学报
采用溶胶-凝胶工艺在p+-Si基片上制备了La0.67Ca0.33MnO3薄膜,构建了Ag/La0.67Ca0.33MnO3/p+-Si三明治结构的阻变器件,研究了器件的电致阻变性能.结果表明:Ag/La0.67Ca0.33MnO3/P+-Si器件具有明显的双极性阻变特性,其高阻态(HRS)与低阻态(LRS)比(HRS/LRS)高于104,器件在高阻态和低阻态的电荷传导机制分别遵循Schottky势垒导电机制与空间电荷限制电流机制(SCLC).器件在2×103次可逆循环测试下,高、低阻态比无明显变化,表现出良好的抗疲劳特性.根据器件的高、低阻态阻抗谱,可以得到阻变效应是由器件界面的肖特基势垒的改变与器件内部缺陷填充共同作用的.
关键词:
Ag/La0.67Ca0.33MnO3/p+-Si
,
阻变性能
,
传导机制
,
溶胶-凝胶
