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不同过饱和度下DKDP晶体生长和缺陷的研究

王波 , 房昌水 , 孙洵 , 王圣来 , 顾庆天 , 李毅平

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2006.01047

过饱和度是影响DKDP晶体生长和质量的关键因素. 本文采用“点籽晶”快速生长技术在不同的过饱和度下从氘化程度为75%的溶液中生长DKDP晶体并选取部分样品进行同步辐射X射线形貌术和粉末X射线衍射测试. 研究了不同过饱和度下DKDP晶体的生长和缺陷. 实验证明, DKDP晶体可以在的过饱和度下实现快速生长, 但晶体的缺陷随着过饱和度的增大而增加.

关键词: DKDP晶体 , supersaturation , crystal growth , defect

掺铈硅酸镥(Lu2SiO5:Ce)晶体的生长与闪烁性能

任国浩 , 王绍华 , 李焕英 , 陆晟

无机材料学报

用Czochralsky方法和铱坩埚感应加热技术生长出了尺寸为φ35mm×40mm的掺铈硅酸镥(LSO:Ce)闪烁晶体.透射光谱表明,由于铈离子的掺入,使晶体的吸收边由纯LSO晶体的195nm红移至380nm.LSO:Ce晶体的紫外激发波长按强度递减的顺序依次为380、333、319和216nm,其光发射为带状谱,波长覆盖范围从390nm至560nm.X射线激发的发射谱具有典型的双峰特征,峰值波长为393nm和.426nm.这些特征与Ce3+离子基态能级4f1因自旋-轨道耦合而产生的两个分裂能级和Ce+离子在LSO晶体中占据两个不同的结晶学格位有关.

关键词: 硅酸镥 , crystal growth , emission , excitation

YCOB晶体生长与激光倍频性能研究

罗军 , 钱世雄 , 范世Ji , 王锦昌 , 钟真武 , 徐家跃

无机材料学报

坩埚下降法沿<010>和<001>方向生长了直径达到25mm的完整透明的CaYO(BO (YCOB)晶体.化学腐蚀结果表明,所生长晶体无孪晶或亚晶界等缺陷,晶体尾部的位错密度 不超过1800/cm测量了YCOB的透射光谱,其截止波长为200nm进行了YCOB晶体对 Nd:YAG激光的二次倍频实验.通过与KDP晶体对比,计算出YCOB晶体的有效非线性系数 在Ⅰ型相位匹配方向(θ,φ)=(66.3°,143.5°)和(65.9°,36.5°)上分别为1.45pm/V和0.91pm/V; 大于KDP和 LBO晶体.在脉冲宽度10ns的 Nd:YAG激光单脉冲辐射下YCOB晶体出现体 损伤的激光损伤阈值不低于85GW/cm

关键词: YCOB , crystal growth , Bridgman method , second-harmonic generation , laser damage threshold

光学浮区法生长YFeO3晶体

申慧 , 徐家跃 , 郁金星 , 武安华

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2007.01099

采用光学浮区法生长了新型磁光晶体YFeO3, 通过工艺优化, 获得了φ(7~10)mm、长度约60mm的YFeO3晶体. XRD分析表明晶体具有正交钙钛矿结构, 晶格常数a=5.5964A, b=7.6052A, c=5.2842A. 晶体生长界面为凸界面, 生长取向接近[100]方向.晶体截面抛光后观察, 未发现肉眼可见的包裹体、晶界等缺陷.

关键词: 光学浮区法 , magneto-optical materials , YFeO3 crystal , crystal growth

Li6Gd(BO3)3:Ce晶体的提拉法生长和闪烁性能

陈俊锋 , 李赟 , 宋桂兰 , 姚冬敏 , 袁兰英 , 齐雪君 , 王绍华

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2006.01053

采用提拉法和铂坩埚感应加热技术生长出最大尺寸为直径25mm, 长40mm的Li6Gd(BO3)3:Ce晶体. XRD分析表明, 生长出的晶体为单一的Li6Gd(BO3)3:Ce相, 结构属P21/c空间群. 对晶体生长中存在的解理开裂、应力开裂及多晶问题进行了讨论, 并从晶体结构的角度解释了(020)完全解理面出现的原因. 晶体在380~800nm之间的透过率接近90%, 200~380nm之间的吸收是由Ce3+离子的4f-5d跃迁和Gd3+离子的4f-4f跃迁引起的. 不同激发源激发下的发射均显示Ce3+离子的双谱峰特征; 相比于紫外激发下的发射而言, X射线激发下的发射光谱略有红移. 该晶体发光符合单指数衰减模型, 衰减时间为30.74ns在241Am源的α射线激发下晶体的能量分辨率为28.84%.

关键词: 硼酸钆锂 , crystal growth , optical transmittance , scintillation properties

包晶反应产物侧向生长速度的研究

常国威金光灿陈淑英李青春岳旭东

金属学报 doi:10.3724/SP.J.1037.2010.00409

针对Fe-C合金包晶反应过程中, γ相沿L/δ界面侧向生长速度的实测值远远大于Bosze和Trivedi[2]模型的计算值的问题, 分析了包晶反应过程中固/液界面前沿溶质浓度分布状况, 得到了金属熔体中圆柱形固相生长时固/液界面前沿溶质浓度分布表达式. 以Jackson[9]$提出的熔体中粗糙界面生长速度公式为基础, 确定了适合计算合金包晶反应产物侧向生长速度的公式, 并将其应用于Fe-C和Fe-Ni合金的包晶反应过程, 计算结果表明, Fe-C和Fe-Ni合金的包晶反应产物γ相的侧向生长速度计算值与Shibata等[4]和Mcdonald等[5]在激光共聚焦扫描显微镜下观察Fe-C和Fe-Ni合金包晶反应时所测得的γ相沿L/δ界面侧向生长速度的实验值基本吻合

关键词: 包晶反应 , solidification process , crystal growth , growth rate

添加剂对Y2Ti2O7陶瓷的微波介电性能的影响

丁佳钰 , 肖瑗 , 王哲飞 , 王丽熙 , 张其土

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2010.10563

研究了CrO3、Nb2O5、SiO2及Al2O3对 Y2Ti2O7 陶瓷的烧结性能、相组成和微波介电性能的影响. 其中Nb2O5 掺杂能够降低 Y2Ti2O7 陶瓷材料的烧结温度, 提高基体陶瓷的介电常数和品质因子,引起谐振频率温度系数的明显变化. 且随着Nb2O5含量的增多,所有样品的主晶相仍为立方烧绿石型Y2Ti2O7,Nb5+可能进入烧绿石结构中, 部分取代Ti4+所在位置.实验结果表明:1mol%Nb2O5掺杂的陶瓷材料在 1420℃ 下烧结致密,具有最佳的微波介电性能: ε r =61.8, Q× f =9096GHz (f=5.494GHz), τf =54×10 - 6 /℃.

关键词: 陶瓷 , crystal growth , X-ray diffraction , dielectric properties , modification

Nd:Zn:LiNbO3晶体的生长及抗光伤性能

范茹 , 徐良瑛 , 范立群 , 肖兵 , 束碧云 , 孙真荣

无机材料学报

以熔体提拉法生长了Nd:Zn:LiNbO3晶体,研究了最佳生长条件.对晶体的光学均匀性参数一双折射梯度及消光比做了测试.研究了晶体的光致双折射变化及其红外透射谱,证明它有很好的抗光伤性能.

关键词: Nd:Zn:LiNbO3 , dopant , crystal growth , optical-damage-resistance

四英寸四硼酸锂压电晶体的生长研究

徐家跃 , 范世ji , 华王祥

无机材料学报

以直径3英寸Li2B4O7晶体为籽晶,采用改进型坩埚下降法在Pt坩埚中生长了直径105mm、长度120mm、无宏观缺陷的高质量Li2B4O7,晶体.生长速率<0.3mm/h,固液界面附近的温度梯度约为30℃/cm.探讨了开裂、孪晶、包裹体等缺陷的形成和消除办法,测试了该晶体的性能.介电常数ε11=9.33,压电系数d33=0.94C/m2,机电偶合系数k33=0.42.高机电偶合系数和低介电常数表明该晶体在高频声表面波器件应用方面具有很大的潜力.

关键词: 压电晶体 , lithium tetraborate , Bridgman technique , crystal growth

Ce:YAP晶体中的孪晶缺陷

李红军 , 苏良碧 , 徐军 , 袁清习 , 朱佩平

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2007.00663

采用同步幅射白光形貌及光学显微形貌等手段研究了Ce:YAP晶体中存在的孪晶缺陷. 对孪晶的性质进行了表征, 结果表明, 它们为{101}和{121}孪晶. 经分析, 我们认为相邻且相近的晶格参数互换是孪晶形成的内在因素, 并据此建立了孪晶结构模型; 另外, 晶体生长过程中放肩阶段生长速率的突变则是导致孪晶形成的主要的外部因素.

关键词: Ce:YAP晶体 , twin defect , white-beam synchrotron radiation topography , crystal growth

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