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检索条件：关键词= deposition temperature
吴恒 , 李贺军 , 王永杰 , 付前刚 , 何子博 , 魏建锋
无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2009.00392
以SiCl4和H2为原料，采用低压化学气相沉积（LPCVD）渗硅法在Mo基体表面原位反应制备了MoSi2涂层，研究了沉积温度对MoSi2涂层微观形貌、物相组成、沉积速率、...
关键词: LPCVD , MoSi2 coatings , microstructures , properties , deposition temperature
贾护军 , 杨银堂 , 朱作云 , 李跃进
无机材料学报
采用常压化学气相淀积（ＡＰＣＶＤ）工艺在１０００～１４００℃温度范围内的（１００）Ｓｉ衬底上进行了β－ＳｉＣ薄膜的异质外延生长．实验结果表明，随着淀积温度的升高，外延层由多晶硅向β－ＳｉＣ单晶转变，结晶情况变好;但同时单晶生长速率却反而有所下降．
关键词: 外延生长 , deposition temperature , crystallinity , null
季振国 , 娄垚 , 毛启楠
无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2010.00386
沉积参数对MOCVD法生长的AlxGa1-xN薄膜性能有很大的影响.利用高分辨XRD, 紫外－可见透射光谱, 原子力显微镜, 扫描电子显微镜和荧光光谱研究了沉积温度对低压MOCVD沉积的高Al含量的Al...
关键词: AlGaN , high Al content , MOCVD , epitaxy , deposition temperature
彭星煜 , 古宏伟 , 丁发柱 , 张腾 , 屈飞 , 王洪艳
稀有金属 doi:10.13373/j.cnki.cjrm.2014.03.010
研究了化学水浴法制备的CdS薄膜微观结构与其带隙宽度的关系.采用台阶仪、X射线衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、分光光度计、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和能谱仪(EDS)等对不同沉积温度下制备的CdS薄膜的生长速率、晶体结构、光学性质、表面形貌和薄膜组分及其相互间关系进...
关键词: CdS , 化学水浴法 , 沉积温度 , 带隙宽度 , 薄膜组分
宁来元 , 金腾 , 李晓静 , 于盛旺 , 申艳艳 , 唐伟忠 , 贺志勇
人工晶体学报
采用MPCVD法,以氢气和四甲基硅烷为先驱气体,YG6硬质合金刀片为基体材料,在不同沉积温度下制备了SiC涂层;并选用致密连续且附着性能优良的SiC涂层作为过渡层制备金刚石涂层.使用场发射扫描电镜、能谱仪和掠X射线衍射仪对SiC涂层和金刚石涂层的形貌和组成进行了分析,并对SiC涂层和金刚石涂层的附着...
关键词: SiC过渡层 , 金刚石涂层 , 沉积温度 , 硬质合金
